场效应管（FET）以其高输入电阻、低噪、热稳定、便于集成的优点在电子电路以及大电流、大电压电路中应用十分普遍；正确使用、判别场效应管的管脚、极性十分必要；
　　同三极管一样，要熟练判别场效应管的管脚、极性必须先了解一下其结构、原理；
　　场效应管的管脚有栅极G、漏极D、源极S三个电极（双栅极管具有四个电极）；
　　场效应管按结构分结型场效应管（JFET）、绝缘栅场效应管（MOS），绝缘栅场效应管又分增强型和耗尽型；结型场效应管的“结”指的是pn结，绝缘栅场效应管的绝缘栅指的是栅极与源极、漏极之间有一层sio2绝缘层，它们之间没有导通连接关系。
　　按导电沟道性质，结型场效应管和绝缘栅场效应管又分电子型（n）沟道、空穴型（p）沟道，这是场效应管导电的通道；
　　场效应管属于单极性晶体管，三极管属于双极性晶体管，也即前者仅仅由一种载流子导电，后者是由两种载流子导电；
　　场效应管属于压控型晶体管，通过栅极与源极之间的电压的变化，来改变沟道的导电能力；三极管属于电流控制型晶体管，通过电流的变化改变集电极电流大小。
　　结型场效应管结构：
　　

　　从结构上可以看出结型场效应管有以下特点：
　　1.漏极D和源极S之间的半导体类型是相同的，也即同是p型或n型半导体，它们之间的正反向电阻是相等的，并且阻值比较小；
　　2.栅极G连接半导体类型与漏极D、源极S连接的半导体类型总是不同的；
　　3.栅极G与漏极、源极之间有pn结，pn结的正向电阻小，反向电阻大；
　　结型场效应管工作原理：在栅极与源极上加上反向电压后，pn结厚度会发生变化，从而改变了导电沟道的导电能力；
　　

　　1.栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘，它们之间的电阻无限大；
　　2.没有外加电压时漏极与源极之间不导通；
　　增强型NMOS管是以P型硅片作为基片（又称衬底），漏极连接的为N半导体，衬底与源极连在一起，故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管，称为寄生二极管；因此漏极和源极之间的反向电阻很小。
　　增强型MOS管工作原理：在栅极与源极之间加上正向电压后，达到一定值后就会形成导电沟道，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；
　　耗尽型MOS管从结构上看
　　1.栅极与漏极、源极绝缘，它们之间的电阻无限大；
　　2.漏极与源极之间能够导通，沟道在制造时就已形成；
　　在栅极与源极之间加上反向向电压后，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；
　　检测方法
　　一、结型场效应管
　　结型场效应管的漏极和源极在制造工艺上是对称的，故两极可以互换，不影响正常工作；只需要判别栅极和沟道类型
　　将万用表拨至R×100Ω档，测量场效应管任意两个极之间的电阻，正反各，有以下几种情况
　　1.若两次测的的阻值相同或相近，则这两极是漏极D、源极S，剩下的就是栅极；然后红笔不动，黑笔接触栅极，若阻值较大则测得的为pn节反向电阻，黑笔接的是n，红笔接的是p，所以该管子为p沟道,反之就是n沟道；
　　2.若两次测得的是一大一小，表明其中一个就是栅极，另一个就是漏极或源极。以阻值小的那为准，红笔不动，黑笔接另一个极，如果阻值小，并且与黑笔换极前测得的阻值相等或相近，则红笔接的是栅极，且该管子为p沟道；如果测得的阻值与黑笔换极前测得的阻值有较大差距，则黑笔换极前接的是栅极，该管子为n沟道场效应管；
　　或者直接任意测量两极之间的正反向电阻，遇到种情况，即可判别栅极，这种比较简单。
　　有兴趣的朋友可以试测一下3DJ6结型场效应管，该管子为电子型导电沟道；
　　

　　NMOS增强型管‘
　　1.电极检测
　　正常的增强型NMOS管的栅极与漏极、源极之间均无法导通，它们的正反向电阻均无穷大，在G极无电压时，DS之间无沟道形成，但由于漏极源极之间存在一个反向寄生二极管，故漏极源极之间的反向电阻较小；
　　选择R×1kΩ，测量各脚之间的正反向电阻；
　　当出现阻值较小时，红笔接的是漏极，黑笔接的是源极，余下的引脚就是栅极
　　NMOS耗尽型管
　　基本过程同上，源极、漏极能够导通，但由于反向寄生二极管的存在，两次的电阻是有差异的。
　　有兴趣的朋友可以测试一下2N60C绝缘栅场效应管，该管子为增强型，电子型沟道。
　　场效应管的极性判别