在新的全球信息化浪潮背景下，全球范围出现半导体存储器短缺。有观点认为，半导体行业进入了需求呈跨越式增长的“超级周期”阶段。

而在供应短缺以及高增长的背后，垄断之势也越发明显。据数据调查显示，仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝半导体等五家美日韩半导体企业，几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。而作为全球最大的电子产品的生产地、消费市场，让中国成为这一波涨价最大的承压市场。

近期，诸多手机厂商纷纷投诉，让监管机构盯上了已经持续涨价6个季度、并且明年一季度仍会继续涨价的存储芯片。

据报道，发改委已经就此问题约谈三星。目前，还未确定是否会对后者发起反垄断调查。

三星持续加大投入 获利丰厚

12月20日三星电子宣布，已启动新型DRAM（动态随机存储器）的量产。该存储器的电路线宽为最尖端的10纳米（10亿分之1米）级。三星通过微细化将生产效率提高了3成，将应对全球不断增长的数据中心需求。

三星是全球最大的存储芯片厂商，其DRAM产品市场占比约48%，NAND Flash产品市场占比约35.4%。DRAM、NAND Flash是存储芯片两大主力产品，前者主要用于内存，后者用于存储数据的闪存。

据业界人士预估，在三星今年260亿美元半导体资金中，3D NAND Flash约为140亿美元，DRAM约为70亿美元。面对如此“诱人”的存储器市场，三星电子完全无法忍住诱惑。据消息透漏，三星电子计划于2018年将DRAM价格上调5%左右，并且会加大3D NAND Flash技术研发的投入。

以目前市场来看，存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类。据分析机构中国闪存市场（CFM）提供数据，2017年，全球存储芯片市场规模950亿美元，其中DRAM约503.5亿美元，NAND约400亿美元。

在DRAM方面，全球DRAM价格持续七个季度高涨，是历来涨势最久的一次。2016年Q3，存储芯片因市场供不应求开始进入涨价通道，并引起手机、固态硬盘、内存条等产品陆续涨价至今。储存芯片的价格在一年内已经暴涨了300％！大部分业界人士预测，此涨势将持续至2018年第二季度。

在NAND Flash方面，全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象，且3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多，至此闪存市场供应得到缓解。

据手机厂商人士透露：“存储，已经超过屏幕、CPU，成为手机最大的成本。占据总成本25%-35%，出货量不是非常大的手机厂商根本谈不下价格。”

值得一提的是，2017年Q2，得益于存储芯片价格持续上涨，三星半导体部门收入157.3亿美元，超过英特尔的147.63亿美元，首次成为全球最大芯片企业。

今年7月，三星曾宣布将投资20.4兆韩元（约合180亿美元）的新投资，用于发展在韩国的半导体制造工厂。

有价格垄断联盟嫌疑？

多位业内人士猜测几大寡头之间存在价格联盟，毕竟，这一价格联盟在2000年期间曾经出现，后被美国司法部处以7.3亿美元罚款，属于当时美国历史上第二大反垄断罚款。

2002年美国司法部向美光、三星、海力士、英飞凌等公司发出传票，控告其价格垄断行为，并于随后启动调查。美国司法部认定，三星在1999-2002年间存在价格垄断行为，其间DRAM在美国销售额达到12亿美元，这些销售额按照20%比例处以罚款，达到2.4亿美元。

反观存储器厂商涨价的背后，其实也不难看出三个重要因素：国内存储器技术人才匮乏，导致技术研发速度过慢；原材料价格的不断上涨，导致投入过高；存储器增长过快，产能过剩的风险随时将至。

中国市场会有哪些玩家可以抗衡？

随着中国庞大的资金，以及地方政府的资源进军半导体中的存储器领域，已经形成了福建晋华、合肥长鑫与紫光集团三大阵营。

其中福建晋华专注利基型内存的开发，主攻消费型电子市场；合肥长鑫则直捣国际大厂最核心的行动式内存产品。

此外，中国正积极吸收专业人才，其中不乏台湾地区的建厂人才，以及日韩的技术人才。