EUV-EDA365

EUV

远紫外线光刻技术（extreme ultraviolet ）。

市场的殷切需求和技术节点的不断进步仿佛是悬在光刻技术头顶的“利剑”，虽然不至于“随时冷汗涔涔”，但是在某种程度上督促着光刻要永远走在前面。商品化光刻机分辨率从1.0μm到0.1μm的演变过程和光源波长从436nm（G-line），经历356nm(I-line)和248nm（KrF），到如今193nm（ArF）的过程；NA从0.35经历了0.45、0.55、0.6到0.85；K1因子的变化由0.8～0.4。20世纪末开始，微处理器和DRAM特征尺寸的缩减呈现了加速和偏离摩尔定律的趋势，这更加速了光刻机的变革步伐。然而，短波光学系统设计加工及相关材料的开发、NA的继续增加和K1的不断减小正面临着一系列的挑战。例如：大NA光学系统将导致焦深的减少，造成工件台和环境的控制更加苛刻，要求物镜波面差更小；较低的K1导致掩膜误差因子的增大，造成复制图形精度和保真度的下降。