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非易失性存储
一种数据存储方法，实现原理后是，它包括在介电材料衬底上形成的一个交叉点存储阵列。交叉点存储阵列包括第一和第二组横向电极，它们被一个包含至少一个半导体层的存储层所分隔。在每个由第一和第二组电极形成的交叉点处，存储层形成一个非易失性存储元件。通过对经过存储元件的预定电流形式的写入信号的应用，每个存储元件可以在低和高阻抗状态之间切换，表示对应的二进制状态。每个存储元件都包括在存储层上形成的二极管结点，至少是同时处于低阻抗状态。多个数据存储设备可以被堆叠并被层压成一个存储模块，以提供廉价的高容量数据存储。这样的存储模块可以被用于归档数据存储系统，其中存储模块提供一个一次写入的存储单元，该单元在设备或是接口卡中是可接收的。
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