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功率MOSFET数据表深入分析

 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计.数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值.对...
发布时间：2020-07-03

深入理解功率MOSFET数据表

 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计.数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值.对...
发布时间：2020-07-03

如何为具体应用恰当的选择MOSFET

 虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数.但为了选择出合适的MOSFET.工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑.例如.对于服务器电源中的负载开关这类应用.由于MOSFET基本上...
发布时间：2020-07-03

如何为具体应用选择恰当的MOSFET

 虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数.但为了选择出合适的MOSFET.工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑.例如.对于服务器电源中的负载开关这类应用.由于MOSFET基本上...
发布时间：2020-07-03

估算热插拔MOSFET温升的简易方法

 本电源设计小贴士以及下次的小贴士中.我们将研究一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法.热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流.这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断.通过...
发布时间：2020-07-03

一种MOSFET双峰效应的简单评估方法

 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor.MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成.自从在1960年首次证明后.MOSFET快速的发...
发布时间：2020-07-03

估算热插拔MOSFET温升的方案

 本电源设计小贴士以及下次的小贴士中.我们将研究一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法.热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流.这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断.通过...
发布时间：2020-07-03

MOSFET驱动器介绍及功耗计算

 我们先来看看MOS关模型:Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的.其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定.Cgd:是两个不同作用的结果.第一JFET区域和门电极的重叠.第二是耗尽区电容(非线性)....
发布时间：2020-07-02

基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制

 为了推动微波功率合成技术的发展.需要开展多路同步输出的脉冲功率源开关关键技术研究.以实现电子束精确同步(同步抖动≤10 ns).源输出波形一致性好.满足负载工作要求.在气体开关的各种触发方式中.激光触发开关是...
发布时间：2020-07-02

同步降压MOSFET电阻比的选择

 在这篇电源设计小贴士中.我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理.而其与占空比和 FET 电阻比有关.进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点.通常.作为设计过程的一个组...
发布时间：2020-07-02
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