eGaN FET比拼MOSFET，驱动器和布局
在本系列的第一篇文章中.我们使用不同的衡量标准对增强型氮化镓(eGaN)功率器件和先进的硅MOSFET进行了比较.eGaN FET之所以与硅器件不同.是因为它们具有明显更快的开关速度.因此我们必须研究针对栅极驱动.布局

通过新DSCC Drawing 10011认证的液钽电容器
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出通过新DSCC Drawing 10011认证的超高容值液钽电容器 --- 10011.Vishay的新款DSCC 10011器件具有高达72,000µF的容值.采用A.B和C外形编码.对

从控制器角度谈感应电容触控系统的设计挑战
自2007年iPhone出现后.感应电容触摸屏的应用范围就在不断扩大.尽管如此.真正把感应电容触摸屏集成到设备中仍存在着很大的挑战.尤其在液晶显示器(LCD).外围器件产生干扰及嘈杂的环境中.有效的解决方案之一是使

LED驱动电源方案大全
一.什么是LED ? LED(Light Emitting Diode).又称发光二极管.它们利用固体半导体芯片作为发光材料.当两端加上正向电压.半导体中的载流子发生复合.放出过剩的能量而引起光子发射产生可见光. 二.LED有

LED驱动芯片DD212主要参数及应用
DD212 电荷泵式驱动应用,只有一个电容器;内建的振动占空比调节 350KHz 频率时钟. DD212 采用互补型金属氧化半导体集成电路CMOS工艺制造;SOT25小体积封装比较适合手提式电子产品led应用设计; 就只是一个电话听筒所占

抑制单级PFC中储能电容电压的拓扑研究
1 引言 为了减小对交流电网的谐波污染.国内外制订了有关标准(如IEC 1000-3-2标准)来限制电流谐波.因此.要求交流输入电源必须采取措施降低电流谐波含量.提高功率因数.目前广泛采用的有源功率因数校正方法

全新的适用于高压功率MOSFET的无管脚SMD封装
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8.新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米).高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米).大幅缩小的封装尺寸