关于S3C2440NAND操作中s3c2440_write_addr_lp函数地址变换说明-EDA365

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关于S3C2440NAND操作中s3c2440_write_addr_lp函数地址变换说明

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源程序

static void s3c2440_write_addr_lp(unsigned int addr)

{

int i;

volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFADDR;

int col, page;

col = addr & NAND_BLOCK_MASK_LP;

page = addr / NAND_SECTOR_SIZE_LP;

*p = col & 0xff; /* Column Address A0~A7 */

for(i=0; i<10; i++);

*p = (col >> 8) & 0x0f; /* Column Address A8~A11 */

for(i=0; i<10; i++);

*p = page & 0xff; /* Row Address A12~A19 */

for(i=0; i<10; i++);

*p = (page >> 8) & 0xff; /* Row Address A20~A27 */

for(i=0; i<10; i++);

*p = (page >> 16) & 0x03; /* Row Address A28~A29 */

for(i=0; i<10; i++);

}

本人试验内容为：从nand的4096地址读取2K大小的数据到SDRAM,发送的地址为：0x1000,对应以上顺序为 0x00 0x00 0x02 0x00 0x00,如果直接按照数据手册里面的对应关系是对应不上的，其中对应关系查下列资料得知：A0-A10为column address（页内部寻址2048），A11为spare（校验区域 spare area）寻址，A12-A28才为页地址寻址，比如4096处位于第2页（从第0页开始算），则对应页地址为2，A12【0】 A13【1】 A14【0】...A28【0】=0x0002

NAND存储结构图如下：

Column Address：列地址：进行页内寻址（一页2K+64Byte,A0-A10共2^11=2048(2K),A11用于OOB地址寻址，一般不用,为LOW；共12根地址线）

Row Address:行地址：页寻址（A12-A28）

关键字：S3C2440 NAND操作地址变换

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