一般，在单片机中的Flash存储器用于存放程序代码，属于只读型存储器。而在MSP430些列的单片机中，都可以通过内置的Flash控制器擦除或改写任何一段的内容。另外，msp430的单片机内部还专门留有一段Flash区域(information memory)，用于存放掉电后需要永久保存的数据。利用430内部的Flash控制器，可以完成较大容量的数据记录、用户设置参数在掉电后的保存等功能。

硬件介绍：

要对Flash读写，首先要了解MSP430的存储器组织。430单片机的存储器组织结构采用冯诺依曼结构，RAM和ROM统一编址在同一寻址空间中，没有代码空间和数据空间之分。

一般430的单片机都统一编址在0-64k地址范围中，只有少数高端的型号才能突破64k（如：FG461x系列）。绝大多数的msp430单片机都编址在64kB范围内。地址的大概编码方式如下：

这是msp430f425的存储器分配图，其他在64k范围内的存储器的单片机编址方式与此类似：低256B是寄存器区，然后是RAM；空白；1000H到10FFH是信息Flash区；大于1100H-0FFFFH是主存储器区(从0FFFFH开始往低地址有单片机的主Flash，多余的部分空白)。

MSP430F14x的Flash分布：

MSP430F16x的Flash分布：

主Flash部分和信息Flash部分如下(60kB Flash对应的单片机，如msp430f149、msp430f149)：

主Flash分为以512B为段的单位，0段是单片机中断向量等程序入口地址，使用时不要擦除此段或改写此段，若要擦除或是改写，请先保存内容到RAM或其他段；主Flash各段内容均要避免写入或擦除，以免造成不可预料的后果。

信息Flash分为两段：段A和段B，每段128B；可以保存用户自己的内容(主Flash也可以但是要避免与程序代码区冲突)；这里就把信息Flash的两段称为InfoA(1080H-10FFh)和InfoB(1000H-10FFH)。

Flash的操作包括：字或字节写入；块写入；段擦除；主Flash擦除；全部擦除。任何的Flash操作都可以从Flash或从RAM中运行。

Flash操作时需要时序发生器，Flash控制器内部含有时序发生器用以产生所需的Flash时钟，Flash时钟的范围必须在257kHz到476kHz之间。时序发生器的框图如下：

时序发生器可以选择ACLK、MCLK、SMCLK作为时钟源，通过分频获得所需的257kHz到476kHz之间的Flash操作时钟。如果时钟频率不再这个范围内，将会产生不可预料的结果。

擦除：擦除之后，存储器中的bit都变为1；Flash中的每一位都可以通过编程写入有1到0，但是要想由0变为1，必须通过擦除周期。擦除的最小单位是段。有三种擦除模式：

MERAS   ERASE       Erase Mode

0       1           Segment erase

1       0           Mass erase (all main memory segments)

1       1           Erase all flash memory (main and information .segments)

可以通过MERAS、ERASE 位来设置擦除的模式：段擦除，主Flash擦除，全部擦除。

对要擦除段内的一个地址空写入启动擦出周期：空写入可以启动时序发生器和擦除操作。空写入后BUSY位立即变高直到擦除周期结束，这一位变为低(0)。BUSY, MERAS和 ERASE位在擦除周期结束后会自动复位。擦除周期的时间和要擦出的Flash大小无关，每次擦除的时间对于MSP430F1xx系系列单片机来说，所需时间是一样的。擦除的时序如下：

当空写入到的地址不在要擦除的段地址范围内的时候，空写入无效，直接被忽略。在擦除周期内，应该关中断，直到擦除完成，重新开中断，擦除期间的中断已经置标志位，开中断后立即响应。

从Flash中启动的擦除操作：擦除操作可以从Flash中启动或是从RAM中启动。当操作是从Flash中启动的时候，Flash控制器控制了操作时序，CPU运行被暂停直到擦除结束。擦除周期结束后，CPU继续执行，从空写入之后的指令开始运行。当从Flash中启动擦除操作时，可以擦除即将运行的程序所在的段，如果擦除了即将运行的程序所在的Flash段时，擦除结束后，CPU的运行不可预料。

从Flash启动时擦除周期如下：

用户指南里面的示例汇编程序如下：

; Segment Erase from flash. 514 kHz < SMCLK < 952 kHz

; Assumes ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.

MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL ; Disable WDT

DINT //; Disable interrupts

MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2 ; SMCLK/2

MOV #FWKEY,&FCTL3 ; Clear LOCK

MOV #FWKEY+ERASE,&FCTL1 ; Enable segment erase

CLR &0FC10h ; Dummy write, erase S1

MOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3 ; Done, set LOCK

... ; Re-enable WDT?

EINT ; Enable interrupts

从RAM中启动擦除操作：任意擦除周期都可以从RAM启动，这时CPU不再暂停而是继续从RAM中运行接下来的程序。CPU可以访问任何Flash地址之前，必须检查BUSY位以确定擦除周期结束。如果BUSY = 1访问Flash，这是一个访问冲突，这时ACCVIFG将被设置，而擦除的结果将是不可预测的的。

从RAM中启动擦除操作时，过程如下：

要在擦除之前确认没有访问Flash，然后擦除完成之前不允许访问Flash。

; Segment Erase from RAM. 514 kHz < SMCLK < 952 kHz

; Assumes ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.

MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL  ; Disable WDT

DINT                        ; Disable interrupts

L1 BIT #BUSY,&FCTL3         ; Test BUSY

JNZ L1                      ; Loop while busy

MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2; SMCLK/2

MOV #FWKEY,&FCTL3           ; Clear LOCK

MOV #FWKEY+ERASE,&FCTL1     ; Enable erase

CLR &0FC10h                 ; Dummy write, erase S1

L2 BIT #BUSY,&FCTL3         ; Test BUSY

JNZ L2                      ; Loop while busy

MOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3      ; Done, set LOCK

...                         ; Re-enable WDT?

EINT                        ; Enable interrupts

写Flash操作：写入的模式由WRT和BLKWRT位来确定：

BLKWRT      WRT         Write Mode

0           1           Byte/word write

1           1           Block write

这两种模式中块写入大约是字或字节写操作时的两倍快，因为在块写入完成之前，变成电压一直维持直到块写入完成。同一个位置不能在擦除周期之前写入两次或以上，否则将发生数据损坏。写操作时，BUSY位被置1，写入完成后，BUSY被自动清零。如果写操作是从RAM发起的，在BUSY=1时，程序不能访问Flash，否则会发生访问冲突，置位ACCVIFG，Flash写入操作不可以预料。

字或字节写入：字或字节写入可以从Flash内部发起，也可以从RAM中发起。如果是从Flash中启动的写操作，时序将由Flash控制，在写入完成之前CPU运行将被暂停。写入完成后CPU将继续运行。

操作时序如下：

若是从RAM中启动写Flash，程序将继续从RAM中运行。CPU再次访问Flash之前必须确认BUSY位已经清零，否则会发生访问冲突，置位ACCVIFG，写入的结果将不可预料。

字或字节写入模式下，内部产生的编程电压时适用于完整的64个字节块的写入

In byte/word mode, the internally-generated programming voltage is applied

to the complete 64-byte block, each time a byte or word is written, for 32 of the

35 fFTG cycles. With each byte or word write, the amount of time the block is

subjected to the programming voltage accumulates. The cumulative

programming time, tCPT, must not be exceeded for any block. If the cumulative

programming time is met, the block must be erased before performing any

further writes to any address within the block.

从Flash发起写字节或字时：

; Byte/word write from flash. 514 kHz < SMCLK < 952 kHz

; Assumes 0FF1Eh is already erased

; Assumes ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.

MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL      ; Disable WDT

DINT ; Disable interrupts

MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2    ; SMCLK/2

MOV #FWKEY,&FCTL3               ; Clear LOCK

MOV #FWKEY+WRT,&FCTL1           ; Enable write

MOV #0123h,&0FF1Eh              ; 0123h −> 0FF1Eh

MOV #FWKEY,&FCTL1               ; Done. Clear WRT

MOV #FWKEY+LOCK,&FCTL3          ; Set LOCK

...                             ; Re-enable WDT?

EINT                            ; Enable interrupts

从RAM中启动写入操作时：

; Byte/word write from RAM. 514 kHz < SMCLK < 952 kHz

; Assumes 0FF1Eh is already erased

; Assumes ACCVIE = NMIIE = OFIE = 0.

MOV #WDTPW+WDTHOLD,&WDTCTL      ; Disable WDT

DINT                            ; Disable interrupts

L1 BIT #BUSY,&FCTL3             ; Test BUSY

JNZ L1                          ; Loop while busy

MOV #FWKEY+FSSEL1+FN0,&FCTL2    ; SMCLK/2

MOV #FWKEY,&FCTL3