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飞利浦推出最新PMEG系列,实现肖特基二极管性能突破

发布时间:2020-07-30 发布时间:
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超低正向压降使功耗达到最低,中低功率封装尺寸缩小50%以上
皇家飞利浦电子集团最新推出肖特基二极管PMEG系列,实现肖特基二极管半导体技术新突破。该PMEG系列使功耗降低至二极管能装在不到现有器件一半大小的表面贴装封装中。
其内在的低正向电压降和高速开关能力使这些新的肖特基二极管非常适用于高效率DC/DC转换器等,在提高整体电效率的同时,使手机、数码相机等设备更加小型化。
通过将正向电阻降至目前市场上同类二极管的一半以下,飞利浦的最新PMEG超低正向电压降VF 肖特基整流器二极管系列能达到的功耗水平仅为BAT54等业界标准型号的一半。
此外,该新型PMEG系列二极管的连续正向额定电流比BAT54 的额定200 mA要高10倍,达到2A,使用的SOD323封装也小于BAT54的SOT23封装,为客户在设计和节约主板空间等方面提供更大的灵活性。
新型PMEG系列为设计师提供的封装使肖特基整流器二极管占用的印刷电路板面积仅为SMA封装的四分之一。它还使SMD肖特基二极管的电流(IF)处理能力扩展到前所未有的水平。
提高整体电效率和缩小封装大小的主要困难仍然是正向电阻的功耗问题。功耗转化的热量使封装必须要比硅片大很多,以便散发热量,避免损坏器件。
飞利浦半导体小信号二极管产品营销经理Andreas Niemann说:“新的PMEG系列肖特基二极管的推出再次证明飞利浦公司能够使大众知晓的成熟器件技术再上新台阶。我们将继续推动分立二极管方面的创新,为我们的亚洲客户提供满足他们在尺寸和性能方面要求的产品。”
飞利浦新型超低VF 肖特基技术还将与其创新性的超低VCEsat BISS晶体管技术相结合,以提供成本较低的小封装晶体管- 二极管,应用在中低功率DC/DC转换器、MOSFET驱动、充电器、继电器和马达驱动器(PMEM系列)等方面。
目前PMEG系列肖特基整流器二极管已有SOD323、SOD523、SOT666三种封装。肖特基二极管/BISS晶体管模块已有SOT457和SOT196封装。欲了解更多该产品信息,请登录www.semiconductors.philips.com,搜索PMEG或PMEM。


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