汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E-EDA365

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汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E

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功率 MOSFET 是众多汽车子系统的重要组成部分，其能够帮助实现各种各样的功能，包括负载切换、电机控制以及DC/DC转换等。SQJQ480E 的意义在于它可以处理与更大功率的MOSFET相同的功能。实际上，其 PowerPAK 8x8L 封装比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而，SQJQ480E 可以同样高效地处理相同的功率转换、开关和电机控制任务，实测器件导通电阻(3毫欧): 也就是在 AEC-Q101车用 MOSFET 中取得迄今为止最低的导通损耗。

SQJQ480E 以Vishay Siliconix TrenchFET 硅技术为基础，其每平方英寸使用数亿个晶体管单元，能够让器件以极高效率转换能量。

SQJQ480E MOSFET 具有小巧的尺寸以及在 10V 时低至 3.0mΩ 的低最大导通电阻，为设计人员提供了一种易于扩展的解决方案，可以让需要并联器件的应用满足高功率需求。此外，它带来了多种实用优势，使得比采用以前的器件更便宜、更可靠。例如，SQJQ480E 采用鸥翼式引线，旨在在引脚下方提供更好的焊锡流动，实现比 QFN 封装更高的板级可靠性，并支持自动光学检测(AOI)功能。它的额定工作温度高达 +175°C，可以提供汽车应用所需要的坚固性和可靠性，例如 48V 板网(board-net)电源、DC/DC 转换器、电机驱动器以及集成皮带起动发电机等。