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日本DIN-TEK半导体是日本著名的功率半导体器件供应商，主要供应工业领域、3C消费类领域中AC-DC电源、DC-DC电源、及工控主板等系统中所必需的MOSFET、二极管、肖特基等产品。并为多个日本顶级半导体厂商提供功率器件制程开发技术支持，专利技术共享支持等，DIN-TEK半导体新近推出的DT系列最新技术超级结低压沟槽MOSFET就是与多个日本著名半导体厂商合作开发而成，DT系列超级结低压沟槽MOSFET能最大程度地减少MOSFET损耗以进一步提升MOSFET的性能。超级结工艺能够提高击穿电压，其原理是在N型层建立垂直方向的P型支柱层从而形成一个在P-N结面具有统一电场分布的耗尽层。相比于传统的中高压MOSFET产品所具有的导通电阻值，超级结构造实现了较低的导通电阻。另外，DT系列超级结低压沟槽MOSFET采用了一项用于形成P型支柱层的单层外延(single-epi) 技术。热分散会导致P-N结面的掺杂浓度发生变化，而目前应用最为普遍的多层外廷工艺对于这种变化非常敏感，但是利用单层外延工艺可以实现具有均匀侧壁的 p型支柱层。因此，单层外延工艺能够提供更高的性能，也实现了几何外形尺寸的缩小化 (图 1)。
另外，由于形成P型支柱层只需执行一次外延晶体生长，所以单层外延工艺缩短了生产时间。进一步降低了成本，提高了性价比，具有极大的竞争优势，其产品价格甚至比台湾产MOSFET更便宜。
DT系列超级结低压沟槽MOSFET具有多种不同封装，VDSS电压从10V-250V，导通电阻最低至2毫欧，更有助于提升应用中的产品性能。它适用于各种电气和电子设备中的AC-DC和DC-DC 转换器等应用场合，比如：移动设备适配器、游戏机、IT 设备、通信系统、视听设备、无线电力传输、LED照明、太阳能/风能逆变电源、白色家电和小型工业设备。
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