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理想二极管桥控制器最大限度地减少整流器发热量和电压损失
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2013 年 6 月 10 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320。其采用低损耗 N 沟道 MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管，以显著地降低功率耗散并增加可用电压。由于电源效率的提升免除了笨重的散热器，因此缩减了电源尺寸。通过免除二极管桥中固有的两个二极管压降提供了额外的裕度，低电压应用将从中获益。与传统的替代方案相比，MOSFET 桥可实现具有高空间利用率和电源效率的整流器设计。控制器的工作频率范围为 DC 至 600Hz。
LT4320 开关控制电路平稳地接通两个适当的 MOSFET，同时将另外两个 MOSFET 保持在关断状态以防止反向电流。一个集成型充电泵负责为外部低导通电阻 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并不需要外部电容器。MOSFET 的选择在 1W 到几千瓦的功率级别范围内提供了最大的灵活性。
LT4320 提供了两种选项：LT4320 设计用于 DC 至 60Hz 电压整流，而 LT4320-1 则专为 DC 至 600Hz 电压整流而设计。LT4320 规格在 -40oC 至 85oC 的工业温度范围，其可提供紧凑型 8 引脚 3mm x 3mm DFN 封装，以及具有增大的高电压引脚间距的 12 引脚 MSOP 封装。以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 2.95 美元，该器件现可按生产批量供货。
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