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图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞（cell）。正因为原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它称为HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞组成。已风行了十余年的IR第三代（Gen－3）HEXFET每平方厘米约有18万个原胞，目前世界上密度最高的IR第八代（Gen－8）HEXFET每平方厘米已有1740万个原胞。这就完全可以理解，现代功率半导体器件的精细工艺已和微电子电路相当。新一代功率器件的制造技术已进入亚微米时代。
图1
图中已标明了漏（Drain）和源（Source）。漏源之间的电流通过一个沟道（Channel）上的栅（Gate）来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属（Metal）－氧化物（Oxide）－半导体（Semiconductor），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）。FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管）的名字也由此而来。然而我们从图1中可以看到，HEXFET中的栅极并不是金属做的，而是用多晶硅（Poly）来做栅极，这也就是图中所注明的硅栅极（SiliconGate）。IR在1978年时是用金属做栅极的，1979年的Gen－1HEXFET是世界上第一个采用多晶硅栅极的多原胞型功率MOSFET。
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