随着半导体器件和电路技术的最新发展，如今D类音频放大器
在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器
在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFET如果选择不当，D类放大器
的上述这些性能将会大打折扣，特别是输出功率比较大的时候。因此，要设计一款具有最佳性能的D类放大器
，设计师正确理解驱动喇叭的器件关键参数以及它们如何影响音频放大器
的性能是至关重要的。

如我们所知，D类放大器是一种开关型放大器，它分别由一个脉冲宽度调制器(PWM)，一个功率桥电路和一个低通滤波器组成，如图1所示。为了实现放大器的最佳性能，必须对功率桥中的开关进行优化，使得功率损耗、延迟时间、电压和电流毛刺都保持最小。因此，在这类放大器设计中，需要采用的开关应该具有低压降、高速的开关时间以及很低寄生电感。虽然这种开关有多种选择，但已证明MOSFET是用于这类放大器的最好开关，原因在于其开关速度。由于它是多数载流子器件，与IGBT或BJT这类器件相比，其开关时间比较快。但是要使D类放大器实现最好性能，所选的MOSFET必须能够提供最低的功、最小的延迟和瞬态开关毛刺。

于是，所选的MOSFET参数必须最优。关键的参数包括包括漏源击穿电压BVDSS，静态漏源通态电阻RDS(on)，栅极电荷Qg，体二极管反向恢复电荷Qrr，内部栅极电阻RG(int)，最大结温TJ(max)，以及封装参数。这些参数的适当选择将会实现最低的功耗，改进放大器的效率，实现低失真和更好的EMI性能，以及减小尺寸和/或成本。

选择MOSFET参数

不过，在动手前，重要的是要理解一些基本指标，如放大器输出功率，负载阻抗(如100W功率输出到8Ω阻抗上)，功率桥接电路拓扑架构(全桥还是半桥)，以及调制度(80%-90%)。

考虑上述这些因素，第一步是要确定放大器的工作电压。因此这将决定MOSFET的额定电压。不过，当选择该额定电压时，还必须考虑其他一些因素，如MOSFET的开关峰值电压以及电源的波动等。如果忽略这一点，将会导致放大器的雪崩条件，从而将影响放大器的性能。于是，针对所期望的放大器输出功率和负载阻抗，功率桥电路拓扑结构，调制度，还要考虑到一个与电路相关的附加因子(通常为10-50%)，最后可以通过方程1和方程2计算出最小的BVDSS。

且

这里，POUT为输出功率，而RLOAD为负载阻抗，M为调制度。

于是，利用方程1和方程2，得出表1。该表中给出了各种D类放大器所需的最小MOSFET额定电压。

表1：用于不同D类放大器结构的MOSFET额定电压。

由于BVDSS与MOSFET通态电阻RDS(on)有关,选择一个尽可能最低的BVDSS是很重要的，因为高的BVDSS将导致高的RDS(on)，从而MOSFET的功耗将更高。

如今我们已经知道MOSFET的总功耗将决定放大器的效率。这些功耗是MOSFET的传导损耗，开关功耗以及栅极电荷损耗的总和。而且，MOSFET的结温TJ和散热片的大小取决于总功耗。因此，高功耗将导致结温增加，从而增加散热器的尺寸。