×
模拟电子 > 模拟电路设计 > 详情

基于高功率硅开关的5G基站射频前端系统电路设计

发布时间:2020-10-20 发布时间:
|

5G毫无疑问是撬动通信行业的重要支点,除了庞大的手机终端市场,基础设施基站等市场也将迎来爆发。根据DG Times预计,2020年5G通信基站整体市场规模为11.43亿美元,到2026年增长至342.86亿美元,复合增速在50%以上。技术发展上,随着通信标准的演进以及载波聚合、MIMO等技术不断成熟,5G通信时代将出现小基站、微基站、纳基站、皮基站,甚至更小的飞基站,它们将隐匿在路灯、公交车站牌等不起眼的角落,为人口密集、大基站无法触及的区域提供通信能力,并进一步形成大规模MIMO系统。

构建大规模MIMO的难点在哪?

MIMO收发器架构广泛用于高功率RF无线通信系统的设计。作为迈入5G时代的一步,覆盖蜂窝频段的大规模MIMO系统目前正在城市地区进行部署,以满足用户对于高数据吞吐量和一系列新型业务的新兴需求。因此,大规模MIMO系统如何构建,又存在哪些难点尚需解决呢?

在不久前落下帷幕的2018中国ICT企业家大会上,笔者在与ADI通信技术专家的交谈中得知,高度集成的单芯片射频收发器解决方案可以推动快速构建大规模MIMO系统。ADI专家表示:“在这一类系统的RF前端部分仍然需要实现类似的集成,意在降低功耗(以改善热管理)和缩减尺寸(以降低成本),从而容纳更多的MIMO通道。ADI最新推出RadioVerseTM ADRV9008/ADRV9009的收发器系列产品,提供两倍于前代器件的带宽(200 MHz),可取代多达20个器件,功耗降低一半,封装尺寸减小60%,可以为设计人员提供单一无线电平台来加速5G部署。”

同时,MIMO架构允许放宽对放大器和开关等构建模块的RF功率要求。然而,随着并行收发器通道数目的增加,外围电路的复杂性和功耗也相应升高。该技术专家表示,ADI采用硅技术的新型高功率开关专为简化RF前端设计而研发,免除外围电路的需要并将功耗降至可忽略不计的水平。ADI采用硅技术的新型高功率开关为RF设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性,且不会让RF 前端成为其设计瓶颈。

高功率硅开关应用示例

在实际应用、如时分双工(TDD)系统中,天线接口纳入了开关功能,以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。ADI专家称,该开关功能可直接在天线接口上使用(在功率相对较低的系统中,如图2所示),或在接收路径中使用(针对较高功率应用,如图3所示),以保证正确接至双工器。在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。

天线开关

LNA保护开关

基于PIN二极管的开关具备低插入损耗特性和高功率处理能力,一直是首选解决方案。然而,在大规模MIMO系统的设计中,它们需要高偏置电压以施加反向偏置(用于提供隔离)和高电流以施加正向偏置(用于实现低插入损耗),这就变成了缺点。下图表示了一款用于基于PIN二极管的开关及其外设的典型应用电路。三个分立的PIN二极管通过其偏置电源电路施加偏置,并通过一个高电压接口电路进行控制。

PIN二极管开关


『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』

热门文章 更多
PLC编程算法