PI推出LinkSwitch-4开关IC 采用自适应基极-发射级驱动技术-EDA365

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PI推出LinkSwitch-4开关IC 采用自适应基极-发射级驱动技术

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日前，Power Integration（以下简称PI）发布了第四代LinkSwitch开关IC，LinkSwitch是PI推出的初级侧调节开关IC，不过LinkSwitch-4是首款支持BJT（双极结型晶体管），从而大幅提高传统BJT存在的电源转换效率，以及改善次级击穿产生的可靠性问题。简单设计便可轻松满足美国DoE-6和欧盟CoC效率标准。

如图所示，LinkSwitch-4实现了对BJT的基极与发射极的控制，加速BJT管的开关速度，实现了效率与可靠性的共同提升。采用LinkSwitch-4基极发射极开关BJT具有与MOSFET几乎一样的SOA。

除此之外，LinkSwitch-4还内置快速主动启动，无需外部FET即可满足空载功耗<30mW，缩短了测试时间；SBD（补充基极驱动）高达80mA，这样就支持更大功率的BJT，同时效率提高带来发热量的降低，可支持更大功率的BJT。

Power Integrations产品开发副总裁Mike Matthews表示：“LinkSwitch-4控制器所采用的自适应基极-发射极开关驱动技术可提升开关性能，并提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。该技术还可消除与BJT相关的次级击穿，降低对电流增益变化的敏感度，从而允许使用成本极低的BJT。自适应基极-发射极开关驱动技术不仅通过大幅优化BJT开关特性来提供设计和制造过程中BJT晶体管的选择灵活性，而且还可极大提高基于BJT的方案的可靠性。”

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