Vishay推出符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET-EDA365

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Vishay推出符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET

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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出了一款符合 AEC-Q101 要求的 N 通道 60 VMOSFET--- SQJ264EP，这是采用 PowerPAK® SO-8L 非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的 Vishay Siliconix SQJ264EP 旨在满足汽车行业节省空间以及提高 DC/DC 开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个 5mm x 6mm 的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET，低边MOSFET的最大导通电阻低至 8.6 m。

与单个 MOSFET 解决方案相比，通过将两个 TrenchFET® MOSFET 封装在一个非对称封装中，今天发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求，同时提高了功率密度。此外，其控制（高边）和同步（低边）MOSFET 在裸片尺寸上的优化组合，可在占空比低于 50％的功率转换中提供高于对称双器件的效率。

SQJ264EP 的通道 1 MOSFET 在 10 V 时最大导通电阻为 20 m，典型栅极电荷为 9.2 nC，而通道 2 MOSFET 在 10 V 时的导通电阻为 8.6 m，典型栅极电荷为 19.2 nC。由于没有内部连接的开关节点，SQJ264EP 为设计人员提供了将晶体管配置为不同拓扑的灵活性，包括同步降压或同步升压 DC/DC 转换器。

由于可在超过+175℃的高温环境下工作，双 MOSFET 能够提供信息娱乐系统、显示器、LED 照明以及电动自行车等汽车应用所需的耐用性和可靠性。此外，与 QFN 单封装和双封装相比，SQJ264EP 的鸥翼引线允许在其引脚下方实现更好的焊料流，增强自动光学检查（AOI）能力以及更高的板级可靠性。

这些 MOSFET 100%通过了 Rg 和 UIS 测试，符合 RoHS 要求，不含卤素。

SQJ264EP 的样品和批量产品现已开始提供，大宗订单的交货期为 12 周。