不久之前Micron公司表现为技术有些滞后，然而最近以来此家存储器制造商开始追赶上来，似乎在NAND方面己经超过它的竞争对手。

    Micron公司正在进行25nmNAND生产线的量产准备工作,计划近期将完成。在DRAM方面,它们正进行由42nm过渡到3xnm生产线的转换,同样在NOR方面也走在前列。因此Micron己成为一家存储器产品类别最完整的公司。

    在SEMI主办的工业策略年会ISS上,Micron的总裁与首席运营官MarkDurcan在它的演讲中谈到芯片制造业与未来存储器方面等问题,并接受EETimes的采访。

    以下是Durcan关于产业中各种问题的看法；

    1、基于硅通孔技术TSV的3D芯片

    Micron己经向客户提供TSV基的样品,并认为目前此类技术尚刚开始，需要指出的是该技术是可行的,肯定不是科学虚构。

    关于TSV基的3D芯片量产问题可能要到明年或18个月之后。它并说Elpida,Samsung及Toshiba都各有自己的TSV基3D芯片,则是进度不同而己。

    2、450mmfabs

    Micron己经成功的由200mm完成向300mm芯片生产线的转换，但是对于未来的450mm生产线,Micron公司并不是一个忠实的支持者。

    Durcan说,Micron并不热切盼望450mm硅片时代马上来临。Micron认为450mm硅片问题不仅是需要设备方面的变革，而是涉及到整条生产线的转移，因此对于一家存储器制造商感觉还是稳妥一些为好,不是冲动能解决的事。

    至于究竟450mm硅片什么时候到来,应该有充分的依据来证实,450mm与300mm相比成本能节省2.5倍。

    3、EUV光刻

    Micron是EUV光刻的忠实支持者。它相信EUV的应用涉及到许多难题，但是尚须解决大量的配套工作。

    4、投资竞赛

    三星计划在2011年投资方面超过竞争对手，Micron在2011的投资也由24亿美元提高到29亿美元。

    Durcan又说为了与三星对抗,Micron的投资必须更加有效。从技术方面Micron有许多自有的先进技术,可以值得与三星拼搏。

    5、半导体设备的整合

    近时期来半导体设备厂商已经进行了多次兼并,每个类别设备厂商只剩下2-3家，因此对于芯片制造商的选择余地己不多。所以未来芯片制造商与设备制造商必须更加紧密的合作,才能共同生存下去。

    6、缩微制程

    估计未来DRAM可能缩小到2xnm,而NAND已经作到这个水年，所以未来缩微一定会减缓。