英特尔进入代工市场的新闻要追溯到2010年，在为Archronix代工22nm FPGA之时，就有消息提到英特尔已成立了代工事业部。而到了2013年英特尔公开表示，之前仅面向部分企业开放代工服务，但今后会向所有的企业开放。在2016 IDF上，英特尔再次宣称开放代工事业。目前，LG、展讯、Achronix、Netronome、Altera等公司都是英特尔代工的合作伙伴。

在日前举办的英特尔精尖制造日峰会上，英特尔高管们反复强调开放代工业务的重要性，并把Altera（现英特尔可编程解决方案事业部）和展讯CEO李力游请到台前，为的就是让业界看到英特尔代工的信心与决心。

      展讯CEO李力游同英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理 Zane Ball展示最新合作产品

实际上随着PC处理器市场的下滑，英特尔的设备利用率必定会出现下降，以往财大气粗时可以不必理会，而现在随着工艺制程更新速度放缓和投资额的不断加大，英特尔需要为这些固定资产寻找更好的出路。

“十多年前大概18家公司有自己的领先的晶圆厂，但现在变成了4家，其中有3家是在投资开发规模量产型的制程技术，其中两家公司是IDM，这确实是非常困难的一个技术领域。”英特尔公司制造、运营与销售集团总裁 Stacy Smith表示。

“我们看到企业需要最先进的技术推陈出新实现他们更强大的制造能力，晶圆代工的规模，从英特尔来看我们一直处在增长的最前沿，这些移动设备的生产厂商需要和我们配合提高他们的能效，提高产品的性能来推动他们的终端产品不断向前发展。”Smith表示，目前任何一家企业在各个市场环节当中都占有不超过70%的市场份额，而英特尔完全可以进入该市场，“我们的目标是希望在各个市场细分环节的客户都有更好的选择权。”

根据英特尔提供的资料显示，目前代工市场产值超过500亿美元，2010年至2016年复合增长率为14%，其中在高端技术节点应用中，一半左右是28nm。



英特尔高级院士、制程架构与集成总监Mark Bohr表示，英特尔全新的为代工准备的22FFL（FinFET低功耗）技术，是全球首个面向低功耗物联网以及移动产品的FinFET技术，该技术比目前其他28/22nm平面技术拥有更大的竞争优势。“英特尔的FinFET技术已经在22nm和14nm被广泛验证，超低漏电晶体管使漏电流降低了100多倍，具有更高的设计自动化水平，同时搭载完整的射频设计。”Bohr指出。

英特尔高级院士、制程架构与集成总监Mark Bohr

如图所示，英特尔的22FFL性能，介于22nm和14nm之间，同时22FFL的设计流程更为简化，成本也能得到进一步下降。

为了满足物联网的广泛需求，英特尔在22FFL技术中可以为数字和模拟/射频技术提供更丰富的组合，包括高性能晶体管、超低漏电晶体管、模拟晶体管、高电压I/O晶体管、高电压功率晶体管等等。
    
关于驱动电流和漏电流水平，Bohr给出了一组对比图。22FFL和22GP（通用）相比，漏电率低18倍，而22FFL低漏电版本的漏电率更是降低100倍之多。

   
Borh表示22FFL行业标准PDK1.0已经推出，预计2017年四季度投产。

“很遗憾的是这块市场现在仍然陷在旧的技术上，需要英特尔来助力它跳出旧的技术限制，进入新的FinFET时代。22FFL很便于使用、便于设计，不需要研发环节再做更多附加工作，所以我们强烈推荐22FFL技术助力整个物联网市场发展。”英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理 Zane Ball说道。

Ball则介绍了英特尔10nm代工计划，10nm代工将被用于网络基础设施市场中，包括网络处理器和FPGA，并表示Altera将马上采用该制程技术生产Falcon Mesa下一代的10纳米FPGA。

“除了高密度的FinFET工艺，一年前我们发布了56Gbps PAM4 SerDes的技术，现在是112Gbps的能力。同时也拥有EMIB嵌入式的多芯片互联桥接技术，高密度、高速数据传输以及封装，我们就能为网络基础设施行业提供一个平台。”Ball说道。

“我们看看这两块市场（网络通信与物联网代工市场）的总体要求是一样的，所有客户都希望上市时间被缩短，这就要求代工业要标准化，高效化。我们有一个强有力的IP及EDA生态链，这使得我们在整个晶圆制造行业里面让企业可以相互配合。”Ball说道：“其次客户需要低功耗技术，不管是14纳米、22纳米还是10纳米，所有企业都希望看到单元面积减小，尺寸减小，功耗降低。”

“代工厂对于客户的支持相当关键，在中国市场我们投资了多个城市，同时我们也在马来西亚很多额外的资源，可以与中国市场相得益彰，互为补充。”Ball说道：“新客户如果从一家代工厂迁移至一家代工厂需要做很多预先准备，英特尔代工服务中有完整的团队支持帮助他们。”

代工业务需要全生态系统的支持，Ball表示：“整个EDA生态链与英特尔合作已久，我们充分的利用英特尔现代技术提供完整的设计工作流。如果有一些客户要求非常高，他们的预算也比较高，希望定制化的技术，英特尔也为此做了充分准备。”

“英特尔不光是提供标准化的封装与测试能力，其实还有很多差分化的创新功能提供。我们把代工和封装测试一体化的给客户提供，这是一种完全的交钥匙的给客户的价值选择。”Ball特别强调道。

实际上，早在2001年，英特尔就开启了Intel Microelectronics Services服务，通过联合 Synopsys, Chartered, TSMC, UMC, Amkor, ASE, and ChipPAC.等公司，旨在帮助企业一站式完成ASIC芯片的设计、制造与封装，该模式也类似于交钥匙方案，只不过在2003年，英特尔选择退出该项业务。

此前，有分析指出，由于英特尔的IDM模式，高通、NVDIA、AMD等公司不可能将代工业务放到直接的竞争对手英特尔手上，对此，Ball非常开放地表明：“我们愿意合作，我们要明确的保护知识产权，我们代工厂的业务集团和其他的业务集团的信息系统是不一样的。第二，客户在供应方面会获得优先，同时在流程方面也会有平等的、透明的安排，我们会以非常合理的方式来开展代工业务，提前规划好产能。”
    
“实际上友商也想和我们合作，尤其是我们能够为他们提供领先业界的技术，还有性能、成本、功能，这些对他们来说都是非常有吸引力的。目前领先的晶圆厂的数量非常之少，因此友商当然会认为英特尔是他们发展之路上非常重要的合作伙伴。”Smith说。

为此，英特尔也特别地将众多IP及EDA厂商请到会场，就是为了表明在代工领域的决心。

Ball以同arm的合作举例道：“我们把arm Cortex A75放到英特尔标准的晶圆代工的流程当中，采用了标准化IP流程，只花了14周时间就完成了RTL到首个流片，而且整个流程是非常标准的合成流程，实测最高频率超过了3.3GHz。”

Ball透露道：“我们把所有的底层IP优化之前就可以做到这一点，在把整个设计流程优化之前，已经可以实现这样的成效，应该说这意味着我们和ARM合作迈出了坚实的第一步，接下来还有更多。”

英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务技术优化解决方案总监戴长虹表示：“英特尔和ARM的合作有两个方面。第一个方面是使用ARM的CPU、GPU的构架优化我们的制程技术。考虑到代工客户，主要要用的是arm的CPU、GPU，所以当我们以ARM的CPU、GPU作为参考系，从功能、能耗、尺寸上优化我们技术的时候，就可以展示出我们的制程技术不仅仅在英特尔CPU、GPU上领先，而且在arm的CPU、GPU也领先于其他的代工公司。第二，英特尔可以借助于arm的物理设计团队经验，从制程技术上来设计逻辑单元库和缓存，以及CPU和GPU的设计包，这样两家的共同客户能够在最短时间里把英特尔最先进的技术用到芯片设计上。所以从合作上可以看到，英特尔为了客户的成功可以做出很重要的改变。”

戴长虹强调：“我们和arm团队合作很好，同时在跟arm合作的时候我们非常注重保护ARM的隐私。我们不仅和arm，和所有的生态系统伙伴，都会很小心的保护他们的隐私。”

此外，Bohr特别强调道，“在半导体行业，一些大型的生产绝对不是一家公司之力可以独立开发完成的，比如未来的450mm晶圆和EUV等技术，需要几家厂商联合推动，英特尔在整个行业中肯定是合作的态度，只有这种合作的态度而不是完全竞争的态度才能够推动整个IC行业发展。”

在谈及FinFET与FDSOI在制程领域之争时，Bohr说道：“首先在晶圆成本方面，FDSOI的晶圆成本更高，同时他们的量产还有体偏压方面相比较FinFET而言有劣势。FinFET是目前的主流技术，在设计、支持、生态系统方面肯定更强。”

有业界人士指出，英特尔选择在22FFL进行代工是正确的选择，这是最后一个可以使用单一图案成形技术的节点，可有效降低开发的成本和周期，让客户享受最具性价比的FinFET技术。然而FinFET并不一定适合全部的物联网应用，尤其是在射频领域，FDSOI的软件动态调节技术可能更加适合。“FinFET技术在嵌入式存储方面可以做到很强，不需要射频的物联网技术或将率先采用该方案。”该人士说道。

该位人士表示：“FinFET 10nm出来以后，可能会出现制程断档，14nm无论是从性能上还是价格方面都会比较尴尬，而FDSOI技术不存在这个问题，包括28nm，22nm，18nm，12nm等多种选项供客户使用。无论如何，代工业的决战应该发生在7nm时，而不是现在所关注10nm。”