目前的 DRAM 市场充满不确定的讯号，有人认为景气高峰期已经结束了，也有人认为现在才正要开始，而且产品短缺的状况将会在可见的未来徘徊不去。

　　还有人说，景气高峰期会持续，但将因为内存厂商缺乏晶圆厂设备而受到限制；据了解，ASML与Nikon等设备供货商，无法应付内存厂客户在先进制程DRAM量产方面对193纳米浸润式微影扫描机(immersion lithography scanner)的需求。

　　由于DRAM制造商在近年来的景气循环中，都无法投资新的资本设备，再加上一些其它因素，使得整体DRAM位成长率在2010年恐怕仅有低于预期的2~4%。为此市场研究机构iSuppli已将2010年DRAM市场成长率由49%调降为45%。

　　DRAM产业的现况与前景究竟如何？有些人对短期趋势抱持悲观态度；VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson即表示，目前有三分之二的晶圆厂产能扩充计划集中在内存，而这个状况又是由DRAM厂商所主导。

　　“在5月份时，每个人都认为厂商之间的整并将限制产能过度扩充问题；但不到一个季的时间，眼前的景象已经从无止尽缺货转换为过剩。”Hutcheson认为。

　　但也有人不认同以上意见；“我们认为DRAM景气还能好上一阵子，原因是企业换机周期(将持续数年、不只是数季)、以及DRAM景气循环速度处于停滞状态(供应量成长状况更可预期、平均销售价格亦维持稳定)，与1980、90年代那时不同。”Raymond James & Associates分析师Hans Mosesmann表示。

　　Mosesmann指出，DRAM厂商预期今年第三季位需求可较前一季成长13~15%，第四季的状况也差不多；部份厂商甚至预测2011年将出现100%以上的位成长率。这不仅意味着整体位需求量的成长，也显示了企业应用端(服务器)转换至英特尔(Intel) Nehalem处理器架构，也对DRAM有更多需求。

　　iSuppli的资深DRAM产业分析师Mike Howard则认为，DRAM是对各种供需变化因素非常敏感的商品；预期在2010年，DRAM整体出货将达1.59亿Gbit约当位量，较去年的1.07亿成长48.6%。

　　“今年度大多数的DRAM需求量，预测将在下半年产生；第三与第四季的DRAM位成长率可望各达11%。”相较之下，第一与第二季的DRAM位成长率都远低于10%；因此Howard指出，集中在短短半年时间内的大量需求，会是对DRAM供货商生产力的严苛考验。

　　两个负面因素

　　然而iSuppli指出，有两个因素可能对下半年的DRAM市场产生负面影响；其一，是ASML目前无法为市场供应足够的193纳米浸润式微影扫描机，Nikon也即将面临相同窘境：“虽然ASML今年可望交出额外的33套浸润式扫瞄设备，但这无法解决目前的供应瓶颈。”

　　其二，没有了193纳米浸润式扫描机，DRAM制造商将在进入50纳米以下制程遭遇困难；包括三星(Samsung)、海力士(Hynix)与美光(Micron)都是因为取得了193纳米浸润式微影扫描机与其它设备，才能升级到50纳米以下制程。

　　但iSuppli指出，对资源有限或是那些正在协议转手的厂商来说，所伴随而来的许多困难，也可能减少其总产出，并对整个产业在该制程节点的位成长率造成负面影响。例如正在从6x纳米制程转换至45纳米制程的尔必达(Elpida)，就可能是造成该公司良率问题的原因。

　　总之一个最大的问题就是：DRAM制造商能在多快的时间内升级产品？Convergent Semiconductors分析师Bob Merritt的答案是：“就看他们何时能筹到足够的资金来做这件事；但现在要升级制程的代价越来越高昂，这会变成一个难以往上爬的陡坡。”

　　就像NAND闪存产业的情况，DRAM厂商都希望能尽快添购193纳米浸润式微影；不过三星则积极在下一代DRAM生产上采用深紫外光微影(EUV)，EUV设备的成本每套可能超过1亿美元，浸润式微影扫描机的价格则是5,000万美元起跳。