日前，台积电工程师泄密事件引起人们广泛关注，半导体产业公司对此也更加谨慎。同时，全球的DRAM内存、NAND闪存主要被三星、SK Hynix、美光、东芝等少数公司垄断，国内尚无厂商有能力染指存储芯片领域，不过该领域已经成为中国发展半导体产业的突破口。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。

长江存储增强公司专利池，严防“泄密贼”

紫光公司收购了武汉新芯公司并在此基础上成立了长江存储科技，发力国产NAND闪存。该公司副总裁高启全日前在采访中表示长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存。

长江存储的背景我们之前的文章中介绍过多次了，高启全先后担任过台湾台积电公司厂商、南亚公司副总、华亚科董事长，被称为台湾DRAM教父，2015年加盟紫光公司，现在担任紫光旗下的长江存储科技公司副总，主导长江公司发展DRAM、NAND存储芯片事业。

这次采访还是Digitimes报道的，他提到长江存储公司将在2017年出样32层NAND闪存，预计2019年有能力量产64层堆栈的3D NAND闪存。到了2020年，长江存储将缩短与三星等国际长达的技术差距到2年时间。

长江存储目前正在增强公司的专利池，他们自信在未来两三年内比一些竞争对手做的更好。

高启全指出大陆与台湾公司在存储芯片上应该合作，因为他们的最大竞争对手是韩国公司。他称台湾公司在存储芯片上也没有自己的专利技术，他们应该考虑改变这个状况。

大陆积极发展存储芯片，必须要吸引更多人才加盟，为此不惜高薪从竞争对手那里挖人，这就涉及到另一个问题了——有些员工窃取前公司机密跳槽的新公司，最近TSMC公司就报案抓了一位工程师，而美光公司最近也加大了宣传力度，将会对窃取商业机密的员工采取法律行动。

对此高启全表示指出长江存储招聘员工时要求不能携带任何机密文档及信息，他们的目标是吸收人才加盟，绝不会允许员工窃取前公司的商业机密。

PS：对于国产3D NAND闪存进展，此前长江存储公司CEO杨士宁表示工厂的设备安装会在2018年Q1季度完成，2019年进入大规模量产阶段。不过长江存储目前只完成了32层堆栈的3D NAND闪存，首先量产的也是32层的，64层堆栈的3D NAND闪存应该在研发中了，何时量产之前并没有正式表态。看高启全的表态，长江存储在2019年也会开始量产64层堆栈闪存，虽然三星等厂商今年内就会开始量产64层堆栈闪存，不过确实能把差距缩小到两年左右了。

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