GaN（氮化镓）材料正迅速成为所有电子应用的优选方案，因为这些应用在效率方面对性能的要求很高。集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”，而将GaN与SiC进行对比，前者的优势显而易见，如图1所示。
图1：随着消耗功率的变化，SiC和GaN材料在效率和结温方面的比较（来源：GaN Systems）
在两个类似的应用电路中，分别使用基于GaN和SiC的IC，通过测量两个电路的功率转换效率即可对这两种材料进行比较（见图2）：
“与碳化硅等效物相比，许多工程师对氮化镓FET的性能表现还不太了解。因此，GaN Systems公司设计了两个分别采用SiC和GaN的650V/15A开关电源，以对比它们的性能。”（来源：GaN Systems）
图2：用于测量SiC和GaN材料性能的两个应用电路（来源YouTube：氮化镓FET如何与碳化硅FET抗衡）
GaN的采用与电子行业通常使用的其他材料兼容，这从两家大型公司MACOM和ST最近达成的合作可以看出，这一合作将为射频应用开发和生产硅基GaN器件。
“这项合作标志着我们将持续引领RF行业转向GaN硅技术。到目前为止，MACOM已经通过使用适度的化合物半导体制造厂，达到甚至超过了昂贵的硅基GaN替代技术的RF性能和可靠性，从而改进并证明了硅基GaN的优点，”MACOM总裁兼首席执行官John Croteau说道，“我们希望与ST的合作能够将这些GaN创新引入芯片供应链产业，最终可以满足最苛刻的客户和应用需求。”
“ST在硅片晶圆制造方面的规模和卓越运营旨在释放MACOM和ST在新的RF功率应用市场的潜力，因为这可以提供硅基GaN市场规模化所需的驱动力，”意法半导体汽车和离散产品事业部总裁Marco Monti表示，“虽然扩大现有RF应用的机会很有吸引力，但我们更加兴奋的是在新的RF能源应用中使用硅基GaN技术，特别是在汽车应用中，例如等离子点火，以便在传统发动机中实现更有效地燃油，也可以在RF照明中应用，以提供更高效和更持久的照明系统。”（来源：BusinessWire）
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