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一种采用CMOS 0．18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线

 发布时间：2022-09-14
摘要:采用标准0．18μmCMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线.该片上天线由一根长1．6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μmEBG结构构成.分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进 ...<全部>
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