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FDMC8200:飞兆半导体推出双MOSFET器件

 发布时间：2024-11-05
产品特性:专用先进高性能PowerTrench® 7 MOSFET技术出色的低RDS(ON).总体栅极电荷(QG)和米勒电荷 (QGD)FDMC8200高侧RDS(ON) 通常为24mOhm.低侧则为9.5mOhm市场数据:笔记本电脑.上网本.服务器.电信和其它 DC-D ...<全部>
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