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MOCVD生长GaN基蓝光LED外延片的研究

 发布时间：2021-01-14
一 引言Ⅲ-V族氮化合物InN.GaN.AIN及其合金材料.其带隙宽度从1.9eV至6.2eV.覆盖了可见光及紫外光光谱的范围.GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料.对GaN材料的研究与应用是当今全球半导体研究的前沿和热 ...<全部>
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