研发资源 > 标签 > GaN缓冲层
|相关技术

MOCVD生长GaN基蓝光LED外延片的研究

 发布时间：2021-01-14
一 引言Ⅲ-V族氮化合物InN.GaN.AIN及其合金材料.其带隙宽度从1.9eV至6.2eV.覆盖了可见光及紫外光光谱的范围.GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料.对GaN材料的研究与应用是当今全球半导体研究的前沿和热 ...<全部>
  • 191
上一个 下一个
|最新活动
第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场
|相关标签
|热门文章
MOCVD生长GaN基蓝光LED外延片的研究

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.