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IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET

 发布时间：2024-12-24
产品特点:该器件具有基准通态电阻和高封装电流额定值在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on)电压范围为40V至100V已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证应用领域:高功率DC电机和电动工具.工业电池及电源应用国际整流器公司 ( ...<全部>
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