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如何减少高输出功率LED势阱/势垒中的极化失配

 发布时间：2024-11-05
据CompoundSemiconductor报道:美国伦斯勒理工学院(RPI).韩国三星LED和浦项科技大学的科研人员正在联合研发多量子阱(MQW)LED,与传统使用GaN半导体材料作为势垒(QB)层不同.在该项目中势垒材料采用 ...<全部>
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