×
研发资源 > 标签 > Si8451DB
|相关技术

Si8441DB/Si8451DB:Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

 发布时间：2021-06-17
产品特性:超薄小封装超低导通电阻最高的栅源电压分别为 ±5V .8V应用范围:手机.PDA数码相机.MP3 播放器智能电话等便携式设备日前.为满足对便携式设备中更小元件的需求.Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MO ...<全部>
  • 59
上一个 下一个
|最新活动
一期总投资5亿，出场即“巅峰”，这家EDA公司凭什么立足？

一期总投资5亿，出场即“巅峰”，这家EDA公司凭什么立足？
|相关标签
|热门文章
Si8441DB/Si8451DB:Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.