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SiR494DP:Vishay新款第三代12V功率MOSFET

 发布时间：2024-12-24
产品特性:最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ该器件在4.5V电压下的栅电荷只有85nCVDS=12V.VGS=±20V采用PowerPAK SO-8封装应用范围:低输入电压(5V-3.3V)同步降压转换器低输出电压(5V.3.3V和更低)OR-ing应用各种采用 ...<全部>
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