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射频VMMK器件通过降低寄生电感和电容提高性能解析

 发布时间：2020-05-22
VMMK器件晶圆等级和芯片封装工艺如图1所示.VMMK器件由于安华高特有的晶圆空腔工艺降低了损耗和常见的射频表贴封装带来的寄生电路参数.通过消除焊接和封装引脚之间的寄生电感和电容.在芯片和封装间形成了一个低损 ...<全部>
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