研发资源 > 标签 > 低噪声读出电路
|相关技术

2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计

 发布时间：2020-07-02
0 引言在红外通信的1 310-1 550 nm波段.高灵敏度探测材料主要有Ge-APD和InGaAs／InP APD.两者相比较.InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声.In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配 ...<全部>
  • 156
上一个 下一个
|最新活动
《全球精品发布会》首期圆满落幕，库觅燃爆全场！

《全球精品发布会》首期圆满落幕，库觅燃爆全场！
|相关标签
|热门文章
2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.