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PN结的形成及工作原理

 发布时间：2020-06-29
当P型和N型半导体材料结合时.P 型( N型)材料中的空穴(电子)向N 型( P 型)材料这边扩散.扩散的结果使得结合区形成一个势垒.由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行.当两者达到平衡时.在PN结两侧形成 ...<全部>
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TMBS® TrenchMOS:Vishay发布12个采用不同封装的45V 势垒肖特基整流器

 发布时间：2024-11-15
产品特性:具有10A-40A的宽额定电流范围在20A电流下的典型VF低至0.51V应用范围:可用于光伏太阳能电池旁路保护Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS® TrenchMOS势垒肖特基整流器器件可用于光伏太阳能电池旁路保护 ...<全部>
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