研发资源 > 标签 > 双极结晶体管
|相关应用领域

低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较

 发布时间：2020-05-29
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案.采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低.更具竞争优势的产品. 便携式产品(如手机.数码照相机. ...<全部>
  • 182
上一个 下一个
|最新活动
第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场
|相关标签
|热门文章
低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.