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一种0.1-1.2GHz的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片设计

 发布时间：2020-07-08
设计了一种低插入损耗.高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片.该电路采用深N阱体悬浮技术.在1.8V电压供电下.该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗.优于-20dB的回波损耗以及-37 ...<全部>
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