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应力诱导曲率对4H-SiC MOS平带电压和界面态密度的影响

 发布时间：2024-06-17
文章发现样品的横光学(TO)声子波数与薄膜的曲率有关.这表明应力主要会影响SiO2 ／ SiC的界面.根据实验结果.本文作者提出[无应力"氧化膜可能是SiC-MOSFET应用的最佳选择. ...<全部>
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