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可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世

 发布时间：2022-02-07
东京--东芝电子元件及存储装置株式会社(简称[东芝")今日宣布了一种可提高碳化硅(SiC)MOSFET[1]可靠性的新器件结构问世.相较于东芝的典型器件结构.MOSFET内嵌的肖特基势垒二极管[2](SBD)可在抑制导通 ...<全部>
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