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具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计

 发布时间：2024-12-20
氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下.传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率.外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度. 使用GaN则可以 ...<全部>
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