技术参数-EDA365

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USBMULTILINKBDM的技术参数

产品型号:USBMULTILINKBDM支持器件:HCS08和HCS12系列描述:USB HCS08/HCS12 BDM Multilink开发套件-支持在板调试编成功能价格/1片(套):￥1,350.00...

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发布时间：2021-07-29

BAS21LT1的技术参数

产品型号:BAS21LT1最小反向电压VR(V):250最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):5反向恢复时间trr(ns):50类型:单极性封装/温度(℃):SOD523/150(max)...

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发布时间：2021-07-29

MGP15N40CLG的技术参数

产品型号:MGP15N40CLGVCE(on) (V)VGE = 4.0 VIC = 6.0 A:1.600VCE(on) (V)VGE = 4.5 VIC = 10 A:1.900钳位电压VCES (V):410开关速度(IC = 6.5 A)TFALL ( us):13最大范围ID-Cont(A):15最大范围PD(W):150封装/温度(℃):...

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发布时间：2021-07-29

NTB75N06L的技术参数

产品型号:NTB75N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:75A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥15.00...

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发布时间：2021-07-29

NTB75N06G的技术参数

产品型号:NTB75N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~150描述:60V,75A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-29

NTB75N03R的技术参数

产品型号:NTB75N03R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.100最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~150描述:75A,25V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.90...

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发布时间：2021-07-29

NTB65N02RT4G的技术参数

产品型号:NTB65N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:24V, 65 A功率MOSFET价格/1片(套):￥4.00...

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发布时间：2021-07-29

NTB5605PG的技术参数

产品型号:NTB5605PG源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140最大漏极电流Id(on)(A):18.500通道极性:P沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:- 60 V, - 18.5 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥6.00...

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发布时间：2021-07-29

NTB45N06的技术参数

产品型号:NTB45N06源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):21最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:45A,60V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥7.80...

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发布时间：2021-07-29

NTB4302的技术参数

产品型号:NTB4302源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.800最大漏极电流Id(on)(A):74通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:74A,30V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥9.20...

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发布时间：2021-07-29

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