STM8S103 独立按键检测
硬件环境采用STM8SF103.电压为3.3V.电路需要注意的是STM8SF103这系列的IO作为输入口时只能是上拉输入和悬浮输入.虽然是弱上拉.在VCC为3.3V电压时.仍然能够被拉升至3.0V左右.所以按键检测电路IO口一端需要接地

STM8S外部中断注意
因为没有中断的清除标志位.这一点与其它单片机是不同的.EXTI_CR1 触发边沿的设置 要在总中断没开时才能写入!PD7 是 不可屏蔽的最高优先级的硬件中断 (TLI) 设置顺序:最好先关中断 设置边沿 开启引脚 最后开总中

单片机驱动三极管
Q1一直是截止的.所以Q2导通时.基极电流会从Vcc到R1到GND.Ice的电流是Ib的β倍.R1的阻值根据负载的需要来调整 因为R1的阻值可以取得很大.因为当输出1时.Q2截止.负载的电流根据R2的阻值来确定

MSP430F5438学习笔记 FLAHS操作
1.前言MSP430F5438的片内FLASH可以当做EEPROM使用.该部分FLASH称为INFO FLASH.总共有4块每块128Byte.虽然INFO FLASH容量比较少.但是多数情况还是够用的.[2014年1月回顾] 存在问题需要立刻改进2.代码实现// 时

存储器和储存有什么不同？
目前最广泛使用的数字储存装置是硬盘(HDD).但它受欢迎的程度正迅速下滑-下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧. 数字数据储存正历经强大的成长态势.2016年即已增加到超过10,000艾位元组(Exabyte;EB)或10

STM8S103xx串口一直中断
前段时间做了一个项目.有部分功能是接收串口命令.根据命令保存一些系统数据(用STM8S内自带的EEPROM).项目完成之初用串口调试工具发单条命令可以正常接收保存.但用一个上位机软件连续发命令(约20ms)时单片机

STM8内部EEPROM的使用
@eeprom u8save[10]={5,4,3};//大括号内为初始值.初始值只在仿真器仿真时才会起作用u8 *pSave = (u8 *)save[0];//对EEPROM数据区进行写操作时必须使用指针访问void main(){do{FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA);}wh