技术参数-EDA365

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UCC38C45D的技术参数

产品型号:UCC38C45D关断功能:No输出方式:单路图腾柱输出电流(A):1频率最大值(kHz):1000基准电压(V):5启动电流(μA):50工作电流(mA):2.300输入电压最小值(V):7.600输入电压最大值(V):20PWM输出:1封装/温度(℃):8SOIC/0~...

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发布时间：2021-07-28

UCC38C40DGK的技术参数

产品型号:UCC38C40DGK关断功能:No输出方式:单路图腾柱输出电流(A):1频率最大值(kHz):1000基准电压(V):5启动电流(μA):50工作电流(mA):2.300输入电压最小值(V):6.600输入电压最大值(V):20PWM输出:1封装/温度(℃):8VSSOP...

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发布时间：2021-07-28

NTD3055-094的技术参数

产品型号:NTD3055-094源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):94最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:12A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥2.50...

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发布时间：2021-07-28

NTD3055-094T4G的技术参数

产品型号:NTD3055-094T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):94最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:60 V, 9.0 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.70...

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发布时间：2021-07-28

MV2101G的技术参数

产品型号:MV2101G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):7.500最大二极管电容CT@VV:4正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( nA):3.200最大反向漏电流IR对应的电压VR(V):-类型:双共阳极调谐二...

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发布时间：2021-07-28

NTD2955T4G的技术参数

产品型号:NTD2955T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:-60 V, -12 A功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00...

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发布时间：2021-07-28

MV209G的技术参数

产品型号:MV209G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):32最大二极管电容CT@VV:3正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( nA):6.500最大反向漏电流IR对应的电压VR(V):3.0/25类型:单调谐二极管封...

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发布时间：2021-07-28

NTD2955的技术参数

产品型号:NTD2955源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:-0.4A,-20V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00...

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发布时间：2021-07-28

MMBFJ177LT1G的技术参数

产品型号:MMBFJ177LT1G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):1500零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):20000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):30输入电容CISS Max (pF):-反向最大传递电容CRSS Max (pF):-沟道极性:...

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NTD24N06T4G的技术参数

产品型号:NTD24N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:24 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.40...

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发布时间：2021-07-28

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EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

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