技术参数-EDA365

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NTD3055L170T4G的技术参数

产品型号:NTD3055L170T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:9.0 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):￥2.60...

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发布时间：2021-07-27

MC44603ADW的技术参数

产品型号:MC44603ADW工作电压(V):14.5~18输出电压/电流(V/A):2.7V/(0.75A)振荡频率(Hz):可编程最大250K输出方式:高电流图腾柱封装/温度(℃):16WSOIC/-25~85描述:高性能共鸣模式PWM控制器,电流模式价格/1片(套):￥16.0...

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发布时间：2021-07-27

TL594CDG的技术参数

产品型号:TL594CDG工作电压(V):7~42输出电压/电流(V/A):(External ref.)/0.2振荡频率(Hz):200K输出方式:开关模式封装/温度(℃):SOIC-16/-25~85描述:开关模式PWM控制器价格/1片(套):￥4.10...

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发布时间：2021-07-27

NTD4804NT4G的技术参数

产品型号:NTD4804NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4最大漏极电流Id(on)(A):117通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:30V,117A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

UC2842ANG的技术参数

产品型号:UC2842ANG工作电压(V):10~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(℃):DIP8/-25~85描述:高性能电流模式控制器价格/1片(套):￥3.20...

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发布时间：2021-07-27

MBR1100RL的技术参数

产品型号:MBR1100RL反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.79 @ 1.0 A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50瞬间反转电流IR(max)(mA):5封装/温度(℃):DO41/-65~15...

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发布时间：2021-07-27

NTD4404N的技术参数

产品型号:NTD4404N源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.170最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55 ~150描述:85A,24V功率MOSFET价格/1片(套):￥9.90...

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发布时间：2021-07-27

TL494ING的技术参数

产品型号:TL494ING工作电压(V):7~42输出电压/电流(V/A):(External ref.)/0.2振荡频率(Hz):200K输出方式:开关模式封装/温度(℃):PDIP-16/-40~85描述:开关模式PWM控制器价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD4302T4G的技术参数

产品型号:NTD4302T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):68通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:68A, 30V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.60...

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发布时间：2021-07-27

TL494CNG的技术参数

产品型号:TL494CNG工作电压(V):7~42输出电压/电流(V/A):(External ref.)/0.2振荡频率(Hz):200K输出方式:开关模式封装/温度(℃):DIP-16/0~70描述:开关模式PWM控制器价格/1片(套):￥3.60...

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发布时间：2021-07-27

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