技术参数-EDA365

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NTP18N06G的技术参数

产品型号:NTP18N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:15 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.70...

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发布时间：2021-07-23

NTP18N06的技术参数

产品型号:NTP18N06源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175描述:27A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.80...

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发布时间：2021-07-23

MBR2545CT的技术参数

产品型号:MBR2545CT反向重复峰值电压VRRM(max)(V):45平均整流器前向电流IO(max)(A):25瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.82@30A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):40@125℃封装/温度(℃):4TO220AB...

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发布时间：2021-07-23

TCM810LENB713的技术参数

产品型号:TCM810LENB713工作电压(V):1.2~5.5复位门限(V):4.630典型复位脉宽(ms):240低电平复位:-高电平复位:√看门狗时间(s):-独立看门狗输出:-掉电比较器:-手动复位输入:-备份电池切换:-工作电流Icc典型值(uA)...

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发布时间：2021-07-23

TCM810MENB713的技术参数

产品型号:TCM810MENB713工作电压(V):1.2~5.5复位门限(V):4.380典型复位脉宽(ms):240低电平复位:-高电平复位:√看门狗时间(s):-独立看门狗输出:-掉电比较器:-手动复位输入:-备份电池切换:-工作电流Icc典型值(uA)...

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发布时间：2021-07-23

TCM810JENB713的技术参数

产品型号:TCM810JENB713工作电压(V):1.2~5.5复位门限(V):4典型复位脉宽(ms):240低电平复位:-高电平复位:√看门狗时间(s):-独立看门狗输出:-掉电比较器:-手动复位输入:-备份电池切换:-工作电流Icc典型值(uA):12...

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发布时间：2021-07-23

TCM809TENB713的技术参数

产品型号:TCM809TENB713工作电压(V):1.2~5.5复位门限(V):3.080典型复位脉宽(ms):240低电平复位:√高电平复位:-看门狗时间(s):-独立看门狗输出:-掉电比较器:-手动复位输入:-备份电池切换:-工作电流Icc典型值(uA)...

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发布时间：2021-07-23

TCM810TENB713的技术参数

产品型号:TCM810TENB713工作电压(V):1.2~5.5复位门限(V):3.080典型复位脉宽(ms):240低电平复位:-高电平复位:√看门狗时间(s):-独立看门狗输出:-掉电比较器:-手动复位输入:-备份电池切换:-工作电流Icc典型值(uA)...

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发布时间：2021-07-23

NTR1P02LT1G的技术参数

产品型号:NTR1P02LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150描述:-20 V, -1.3 A,双功率MOSFET价格/1片(套):￥1.20...

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发布时间：2021-07-23

NTP30N20的技术参数

产品型号:NTP30N20源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):68@10V最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175描述:45A,30V功率MOSFET价格/1片(套):￥15.50...

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发布时间：2021-07-23

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