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技术参数
M1MA152WAT1的技术参数
产品型号:M1MA152WAT1最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):15反向恢复时间trr(ns):10类型:共阳极双开关二极管封装/温度(...
技术百科
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技术参数
M1MA152WAT1
发布时间:2021-07-16
MC74VHCT32ADR2G的技术参数
产品型号:MC74VHCT32ADR2G封装/温度(℃):SOIC-14/-55~85描述:四2输入正或门价格/1片(套):¥1.20...
技术百科
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技术参数
MC74VHCT32ADR2G
发布时间:2021-07-16
TLV1548CDB的技术参数
产品型号:TLV1548CDB工作电压(V):2.7~5.5位数:10速率(KSPS):85输入通道数:8INL(最大值)(±LSB):1功耗MAX(mw):1.050接口方式:串行基准:外部封装/温度(℃):20SSOP/0~70描述:宽工作电压,8输入通道,串行I/O接口10位A/D转换...
技术百科
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技术参数
TLV1548CDB
发布时间:2021-07-15
1N5380B的技术参数
产品型号:1N5380B齐纳击穿电压Vz最小值(V):114齐纳击穿电压Vz典型值(V):120齐纳击穿电压Vz最大值(V):126@Izt(mA):10齐纳阻抗Zzt(Ω):170最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5380B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价格/1片(...
技术百科
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技术参数
1N5380B
发布时间:2021-07-15
1N5379B的技术参数
产品型号:1N5379B齐纳击穿电压Vz最小值(V):104.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):110齐纳击穿电压Vz最大值(V):115.500@Izt(mA):12齐纳阻抗Zzt(Ω):125最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5379B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价...
技术百科
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技术参数
1N5379B
发布时间:2021-07-15
1N5920B的技术参数
产品型号:1N5920B齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.890齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.510@Izt(mA):60.500齐纳阻抗Zzt(Ω):2最大功率PMax(W):3芯片标识:1N5920B封装/温度(℃):Surmetic30/-65~200价...
技术百科
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技术参数
1N5920B
发布时间:2021-07-15
1N5374BRLG的技术参数
产品型号:1N5374BRLG齐纳击穿电压Vz最小值(V):71.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):75齐纳击穿电压Vz最大值(V):78.750@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):45最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5374B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价...
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技术参数
1N5374BRLG
发布时间:2021-07-15
1N5374BG的技术参数
产品型号:1N5374BG齐纳击穿电压Vz最小值(V):71.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):75齐纳击穿电压Vz最大值(V):78.750@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):45最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5374B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价格/...
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技术参数
1N5374BG
发布时间:2021-07-15
1N5374B的技术参数
产品型号:1N5374B齐纳击穿电压Vz最小值(V):71.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):75齐纳击穿电压Vz最大值(V):78.750@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):45最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5374B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价格/1...
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技术参数
1N5374B
发布时间:2021-07-15
1N5372BRLG的技术参数
产品型号:1N5372BRLG齐纳击穿电压Vz最小值(V):58.900齐纳击穿电压Vz典型值(V):62齐纳击穿电压Vz最大值(V):65.100@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):42最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5372B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价...
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技术参数
1N5372BRLG
发布时间:2021-07-15
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