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技术参数
MMBZ5228BLT1G的技术参数
产品型号:MMBZ5228BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.700齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.900齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.100@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):23最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8C封装/温度(℃):SOT23/-65~150价格/...
技术百科
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技术参数
MMBZ5228BLT1G
发布时间:2021-07-12
MMBZ5226BLT1G的技术参数
产品型号:MMBZ5226BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.130齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.470@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):28最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8A封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价...
技术百科
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技术参数
MMBZ5226BLT1G
发布时间:2021-07-12
MMBZ5231BLT1的技术参数
产品型号:MMBZ5231BLT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.840齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):17最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8F封装/温度(℃):SOD523/-65~150价格/...
技术百科
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技术参数
MMBZ5231BLT1
发布时间:2021-07-12
MMBZ5221BLT1G的技术参数
产品型号:MMBZ5221BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.280齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.520@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率PMax(W):0.225芯片标识:18A封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价...
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技术参数
MMBZ5221BLT1G
发布时间:2021-07-12
MM5Z8V2T1的技术参数
产品型号:MM5Z8V2T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.700齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.700@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):-最大功率PMax(W):-芯片标识:0H封装/温度(℃):SOD523/-65~150价格/1片(套)...
技术百科
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MM5Z8V2T1
发布时间:2021-07-12
MMBZ5224BLT1G的技术参数
产品型号:MMBZ5224BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.660齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.940@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率PMax(W):0.225芯片标识:18D封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价...
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MMBZ5224BLT1G
发布时间:2021-07-12
MC74AC74DTR2的技术参数
产品型号:MC74AC74DTR2封装/温度(℃):14TSSOP/-55~125描述:双D触发器价格/1片(套):¥1.99...
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MC74AC74DTR2
发布时间:2021-07-12
MM5Z8V2ST1G的技术参数
产品型号:MM5Z8V2ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.700齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.700@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):-最大功率PMax(W):-芯片标识:TH封装/温度(℃):SOD523/-65~150价格/1片(...
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MM5Z8V2ST1G
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产品型号:MC74AC74DR2G封装/温度(℃):14SOIC/-40~85描述:双上升沿D触发器(有预置和清除端)价格/1片(套):¥1.59...
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MC74AC74DR2G
发布时间:2021-07-12
MM5Z7V5T1G的技术参数
产品型号:MM5Z7V5T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.900@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):160最大功率PMax(W):0.100芯片标识:0G封装/温度(℃):SOD523/-65~150价格/1片(套...
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技术参数
MM5Z7V5T1G
发布时间:2021-07-12
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