技术参数-EDA365

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MMBZ5230BLT1G的技术参数

产品型号:MMBZ5230BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.940@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):19最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8E封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价...

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发布时间：2021-07-12

TLC271AID的技术参数

产品型号:TLC271AID通道数:1关断功能:No工作电压Max. (V):16工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(mA):1.600带宽GBW(典型值)(MHz):1.700转换速率(典型值)(V/us):3.600输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):5失调漂移(典型值)(...

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发布时间：2021-07-12

MC34072ADR2G的技术参数

产品型号:MC34072ADR2G工作电压Min.(V):3.0,±1.5工作电压Max.(V):44,±22带宽GBW(典型值)(MHz):4.500转换速率(典型值)(V/us):13输入失调电压(25℃,Max.)(mV):5输入偏置电流(Max.)(nA):100最大工作电流ID(mA):3.200共模...

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发布时间：2021-07-09

SN7407D的技术参数

产品型号:SN7407D封装/温度(℃):SOIC-14/0~70描述:六反相缓冲器/驱动器(集电极开路输出)价格/1片(套):￥2.60...

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发布时间：2021-07-09

CD74HCT240PW的技术参数

产品型号:CD74HCT240PW封装/温度(℃):SOIC-20/-55~125描述:八总线缓冲器/驱动器(三态输出)价格/1片(套):￥3.50...

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发布时间：2021-07-09

CD4050BD的技术参数

产品型号:CD4050BD封装/温度(℃):SOIC-16/-55~125描述:六缓冲器价格/1片(套):￥1.40...

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发布时间：2021-07-09

CD4049UBD的技术参数

产品型号:CD4049UBD封装/温度(℃):SOIC-16/-55~125描述:CMOS六缓冲器/转换器价格/1片(套):￥1.50...

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发布时间：2021-07-09

MMSZ5V1ET1G的技术参数

产品型号:MMSZ5V1ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大功率PMax(W):0.500芯片标识:CL9封装/温度(℃):SOD123/-55~150价格/1...

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发布时间：2021-07-09

MZP4729ARLG的技术参数

产品型号:MZP4729ARLG齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.420齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.780@Izt(mA):69齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大功率PMax(W):3芯片标识:MZP4729A封装/温度(℃):DO-41/-65~175价格/...

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发布时间：2021-07-09

MMBZ5V6ALT1G的技术参数

产品型号:MMBZ5V6ALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):20描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.40...

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发布时间：2021-07-09

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