技术参数-EDA365

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SZ1SMB5935BT3G的技术参数

产品型号:SZ1SMB5935BT3G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350@Izt(mA):13.900齐纳阻抗Zzt(Ω):23最大功率PMax(W):3芯片标识:935B封装/温度(℃):SMB/-65~150价格/...

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发布时间：2021-07-09

SZBZX84C39LT1G的技术参数

产品型号:SZBZX84C39LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):37齐纳击穿电压Vz典型值(V):39齐纳击穿电压Vz最大值(V):41@Izt(mA):2齐纳阻抗Zzt(Ω):130最大功率PMax(W):0.225芯片标识:Y14封装/温度(℃):SOT-23/-65~150价格/1片(套...

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发布时间：2021-07-09

SM12T1的技术参数

产品型号:SM12T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):300齐纳击穿电压Vz典型值(V):13.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):-@Izt(mA):15.750齐纳阻抗Zzt(Ω):1最大功率PMax(W):-芯片标识:12M封装/温度(℃):SOT-23/-55~150价格/1片(套):...

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发布时间：2021-07-09

SZBZX84C27LT1G的技术参数

产品型号:SZBZX84C27LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.100齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.900@Izt(mA):2齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率PMax(W):0.225芯片标识:Y10封装/温度(℃):SOT-23/-65~150价格...

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发布时间：2021-07-09

MMBZ6V8ALT1G的技术参数

产品型号:MMBZ6V8ALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.40...

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发布时间：2021-07-09

SM05T1的技术参数

产品型号:SM05T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):300齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):-@Izt(mA):7.300齐纳阻抗Zzt(Ω):1最大功率PMax(W):-芯片标识:5M封装/温度(℃):SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥1....

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发布时间：2021-07-09

MZP4740ARLG的技术参数

产品型号:MZP4740ARLG齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500@Izt(mA):25齐纳阻抗Zzt(Ω):7最大功率PMax(W):3芯片标识:MZP4740A封装/温度(℃):DO-41/-65~175价格/1片...

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发布时间：2021-07-09

NCS2540DTBR2G的技术参数

产品型号:NCS2540DTBR2G工作电压Min.(V):2.500工作电压Max.(V):5带宽GBW(典型值)(MHz):750转换速率(典型值)(V/us):1700输入失调电压(25℃,Max.)(mV):10输入偏置电流(Max.)(nA):3.2uA(typ)最大工作电流ID(mA):12共模抑...

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发布时间：2021-07-09

2N5089RLRAG的技术参数

产品型号:2N5089RLRAG类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):50直流电流增益hFE最小值(dB):450直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50封装/温度(℃):TO92/-55...

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发布时间：2021-07-09

2N5088的技术参数

产品型号:2N5088类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):0.050直流电流增益hFE最小值(dB):350直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50封装/温度(℃):TO92/-55~1...

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发布时间：2021-07-09

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