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技术参数
TL343IDBVT的技术参数
产品型号:TL343IDBVT通道数:1关断功能:No工作电压Max. (V):36工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(mA):2.800带宽GBW(典型值)(MHz):1转换速率(典型值)(V/us):1输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):10失调漂移(典型值)(uV/℃):...
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TL343IDBVT
发布时间:2021-07-07
TLV2211IDBVT的技术参数
产品型号:TLV2211IDBVT通道数:1关断功能:No工作电压Max. (V):10工作电压Min. (V):2.700每通道IQ(典型值)(mA):0.030带宽GBW(典型值)(MHz):0.070转换速率(典型值)(V/us):0.030输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):0.450失调漂...
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TLV2211IDBVT
发布时间:2021-07-07
MC74LVX244DWR2G的技术参数
产品型号:MC74LVX244DWR2G封装/温度(℃):20SOIC/-40~85描述:八总线缓冲器(三态同相输出)价格/1片(套):¥3.20...
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MC74LVX244DWR2G
发布时间:2021-07-07
ADS7841E的技术参数
产品型号:ADS7841E工作电压(V):2.7~5.25位数:12速率(kSPS):200输入通道:4INL最大值(±LSB):1功耗(mW):0.840接口方式:SPI基准:外部封装/温度(℃):16SSOP/-40~85描述:宽工作电压,4输入通道,串行I/O接口12位A/D转换器价格...
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ADS7841E
发布时间:2021-07-07
MC9S12NE64VTUE的技术参数
产品型号:MC9S12NE64VTUE工作电压(V):3Flash(字节):64KRAM(字节):8KEEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:最大70串行通讯:I2C,2SCI,SPIA/D:8×10bitPWM:见定时器工作频率(MHz):16,25附加信息:集成了EMAC(媒...
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MC9S12NE64VTUE
发布时间:2021-07-07
MMBT489LT1G的技术参数
产品型号:MMBT489LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):300直流电流增益hFE最大值(dB):900最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):3SOT...
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MMBT489LT1G
发布时间:2021-07-07
X5323PI的技术参数
产品型号:X5323PI位密度:32K结构:×8接口:SPI低电平复位:√高电平复位:-工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/1.4封装/温度(℃):8-PDIP/-40~85描述:可编程看门狗+上电复位+可设定的低Vc...
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X5323PI
发布时间:2021-07-07
MMBT2907ALT1G的技术参数
产品型号:MMBT2907ALT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200封装/温度(℃):3SO...
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MMBT2907ALT1G
发布时间:2021-07-07
SE5532AD8G的技术参数
产品型号:SE5532AD8G工作电压Min.(V):±3.0工作电压Max.(V):±20带宽GBW(典型值)(MHz):10转换速率(典型值)(V/us):9输入失调电压(25℃,Max.)(mV):2.0@±15 V输入偏置电流(Max.)(nA):200最大工作电流ID(mA):8共模抑制比(Mi...
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SE5532AD8G
发布时间:2021-07-07
ADS7870EVM的技术参数
产品型号:ADS7870EVM支持器件:ADS7870EA包括内容:评估板一块,开发资料光盘一个价格/1片(套):¥698.00...
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ADS7870EVM
发布时间:2021-07-07
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