技术参数-EDA365

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MMBT5089LT1G的技术参数

产品型号:MMBT5089LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):50直流电流增益hFE最小值(dB):400直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50封装/温度(℃):3SOT-23...

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发布时间：2021-07-06

OPA2743PA的技术参数

产品型号:OPA2743PA通道数:2关断功能:No工作电压Max. (V):12工作电压Min. (V):3.500每通道IQ(典型值)(mA):1.500带宽GBW(典型值)(MHz):7转换速率(典型值)(V/us):10输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):7失调漂移(典型值)(uV/...

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发布时间：2021-07-05

OPA2277UA的技术参数

产品型号:OPA2277UA通道数:2关断功能:No工作电压Max. (V):36工作电压Min. (V):4每通道IQ(典型值)(mA):0.830带宽GBW(典型值)(MHz):1转换速率(典型值)(V/us):0.800输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):0.020失调漂移(典型值)(...

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发布时间：2021-07-05

TLV2783IN的技术参数

产品型号:TLV2783IN通道数:2关断功能:Yes工作电压Max. (V):3.600工作电压Min. (V):0.820每通道IQ(典型值)(Max.)(mA):8带宽(典型值)(MHz):4.300转换速率(典型值)(V/us):-输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):3输入失调电压...

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发布时间：2021-07-05

MBT2222ADW1T1G的技术参数

产品型号:MBT2222ADW1T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300封装/温度(℃):SO...

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发布时间：2021-07-05

MMBZ5232BLT1G的技术参数

产品型号:MMBZ5232BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):11最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8G封装/温度(℃):SOD523/-65~150价格...

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发布时间：2021-07-05

TLV2334IN的技术参数

产品型号:TLV2334IN通道数:4关断功能:No工作电压Max. (V):8工作电压Min. (V):2每通道IQ(典型值)(Max.)(mA):0.280带宽(典型值)(MHz):0.300转换速率(典型值)(V/us):0.380输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):10输入失调电压漂...

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发布时间：2021-07-05

MC33204PG的技术参数

产品型号:MC33204PG工作电压Min.(V):1.8,±0.9工作电压Max.(V):12,±6带宽GBW(典型值)(MHz):2.200转换速率(典型值)(V/us):1输入失调电压(25℃,Max.)(mV):10输入偏置电流(Max.)(nA):80nA最大工作电流ID(mA):3.600共模抑...

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发布时间：2021-07-05

TLV5610IDW的技术参数

产品型号:TLV5610IDW工作电压(V):2.7~5.5位数:12建立时间(uS):1输出类型:电压通道数:8DNL最大值(±1LSB):1INL最大值(±1LSB):6接口方式:SPI基准:外部功耗(mW):18封装/温度(℃):20SOIC/-40~85描述:8通道,串行接口,低功耗...

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发布时间：2021-07-05

MC74HC595ADR2G的技术参数

产品型号:MC74HC595ADR2G封装/温度(℃):16SOIC/-55~125描述:8位移位寄存器(3态输出)价格/1片(套):￥2.35...

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发布时间：2021-07-05

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