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技术参数
SN74AHC245N的技术参数
产品型号:SN74AHC245N封装/温度(℃):PDIP-20/-40~85描述:八总线接收发送器(三态同相输出)价格/1片(套):¥1.90...
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技术参数
SN74AHC245N
发布时间:2021-07-01
PGA204AP的技术参数
产品型号:PGA204AP可选择增益:1,10,100,1000非线性度(±)(Max.)(%):0.002输入失调电压(±)(Max.)(uV):50+100/G失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):0.25+5/G增益误差(±)(Max.)(%):0.020共模抑制比CMRR(Min.)(dB):110输入偏置...
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PGA204AP
发布时间:2021-07-01
PGA309AIPWT的技术参数
产品型号:PGA309AIPWT可选择增益:4~128非线性度(±)(Max.)(%):0.010输入失调电压(±)(Max.)(uV):50失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):0.200增益误差(±)(Max.)(%):1.600共模抑制比CMRR(Min.)(dB):105输入偏置电流(±)(Max.)(n...
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技术参数
PGA309AIPWT
发布时间:2021-07-01
BC517G的技术参数
产品型号:BC517G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):30集电极最大电流IC(Max)(A):1000直流电流增益hFE最小值(dB):30000直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200总功耗PD(W):-封装/温...
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技术参数
BC517G
发布时间:2021-07-01
BUH51G的技术参数
产品型号:BUH51G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):500集电极最大持续电流IC(Max)(A):3直流电流增益hFE最小值(dB):8直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):-功率耗散PD(W)@25℃:50封...
技术百科
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技术参数
BUH51G
发布时间:2021-07-01
BU406G的技术参数
产品型号:BU406G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):200集电极最大持续电流IC(Max)(A):7直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):10功率耗散PD(W)@25℃:60封...
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技术参数
BU406G
发布时间:2021-07-01
BD442G的技术参数
产品型号:BD442G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):15直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3功率耗散PD(W)@25℃:36封装...
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技术参数
BD442G
发布时间:2021-07-01
INA2321EA/250的技术参数
产品型号:INA2321EA/250输入类型:CMOS增益范围(V/V):5~1000非线性度(±)(Max.)(%):0.010输入失调电压(±)(Max.)(uV/℃):500输入失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):7共模抑制比(Min.)(dB):90输入偏置电流(±)(Max.)(nA):0.010...
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技术参数
INA2321EA/250
发布时间:2021-07-01
INA155UA的技术参数
产品型号:INA155UA输入类型:FET增益范围(V/V):10,50非线性度(±)(Max.)(%):0.050输入失调电压(±)(Max.)(uV/℃):100输入失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):15共模抑制比(Min.)(dB):78输入偏置电流(±)(Max.)(nA):0.050噪声@1...
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技术参数
INA155UA
发布时间:2021-07-01
BD159G的技术参数
产品型号:BD159G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):350集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):240最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):30功率耗散PD(W)@25℃...
技术百科
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技术参数
BD159G
发布时间:2021-07-01
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