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技术参数
BD136G的技术参数
产品型号:BD136G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):1.500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50功率耗散PD(W)@25℃:...
技术百科
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技术参数
BD136G
发布时间:2021-07-01
INA114AU的技术参数
产品型号:INA114AU输入类型:Bipolar增益范围(V/V):1~10000非线性度(±)(Max.)(%):0输入失调电压(±)(Max.)(uV/℃):50输入失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):0.250共模抑制比(Min.)(dB):110输入偏置电流(±)(Max.)(nA):2噪声@...
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技术参数
INA114AU
发布时间:2021-06-30
INA110KP的技术参数
产品型号:INA110KP输入类型:FET增益范围(V/V):1,10,100,1000非线性度(±)(Max.)(%):0.010输入失调电压(±)(Max.)(uV/℃):250输入失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):2共模抑制比(Min.)(dB):106输入偏置电流(±)(Max.)(nA):0.0...
技术百科
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技术参数
INA110KP
发布时间:2021-06-30
BC847AWT1G的技术参数
产品型号:BC847AWT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hFE最大值(dB):220最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100功率耗散PD(W...
技术百科
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技术参数
BC847AWT1G
发布时间:2021-06-30
NCS2200SQ2T2G的技术参数
产品型号:NCS2200SQ2T2G工作电压Min. (V):0.85,±0.425工作电压Max. (V):6.0,±3.0输入失调电压Max.(mV):8输入失调电流Iio(max)(nA):-输入偏置电流Iio(max)(nA):1.0pA静态电流(total)(mA):10响应时间(ns):200电源供...
技术百科
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技术参数
NCS2200SQ2T2G
发布时间:2021-06-30
LM293DR2G的技术参数
产品型号:LM293DR2G工作电压Min. (V):2,±1.0工作电压Max. (V):36,±18输入失调电压Max.(mV):5输入失调电流Iio(max)(nA):50输入偏置电流Iio(max)(nA):25静态电流(total)(mA):0.400响应时间(ns):1300电源供电方式:单/...
技术百科
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技术参数
LM293DR2G
发布时间:2021-06-30
DTA124EET1G的技术参数
产品型号:DTA124EET1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):60R1(Ω):22KR2(Ω):22K芯片上标识:6B封装/温度(℃):3SC75/-55~150价格/1片(套):¥.25...
技术百科
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技术参数
DTA124EET1G
发布时间:2021-06-30
DTA114YET1G的技术参数
产品型号:DTA114YET1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:6D封装/温度(℃):3SC75/-55~150价格/1片(套):¥.25...
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技术参数
DTA114YET1G
发布时间:2021-06-30
MSC2712GT1的技术参数
产品型号:MSC2712GT1类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):400最小电流增益带宽乘积fT(MHz):-封装/温度(℃):3SOT323...
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技术参数
MSC2712GT1
发布时间:2021-06-30
MC33072ADR2G的技术参数
产品型号:MC33072ADR2G工作电压Min.(V):3.0,±1.5工作电压Max.(V):44,±22带宽GBW(典型值)(MHz):4.500转换速率(典型值)(V/us):13输入失调电压(25℃,Max.)(mV):5输入偏置电流(Max.)(nA):100最大工作电流ID(mA):3.200共模...
技术百科
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技术参数
MC33072ADR2G
发布时间:2021-06-30
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